Справочник MOSFET. PMN55LN

 

PMN55LN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMN55LN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для PMN55LN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN55LN Datasheet (PDF)

 9.1. Size:265K  nxp
 pmn55enea.pdf pdf_icon

PMN55LN

PMN55ENEA60 V, N-channel Trench MOSFET26 April 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology E

 9.2. Size:271K  nxp
 pmn55ene.pdf pdf_icon

PMN55LN

PMN55ENE60 V, N-channel Trench MOSFET14 December 2017 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Logic-level compatible Very fast switching ElectroStatic Disch

Другие MOSFET... PMN34UN , PMN34UP , PMN35EN , PMN38EN , PMN40LN , PMN45EN , PMN48XP , PMN49EN , IRF4905 , PMR280UN , PMR290XN , PMR370XN , PMR400UN , PMR780SN , PMT21EN , PMT29EN , PMV117EN .

History: VBL1154N | IXFN52N90P | BLS65R165-A

 

 
Back to Top

 


 
.