PMN55LN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMN55LN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: TSOP6

Аналог (замена) для PMN55LN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN55LN даташит

 9.1. Size:265K  nxp
 pmn55enea.pdf pdf_icon

PMN55LN

PMN55ENEA 60 V, N-channel Trench MOSFET 26 April 2019 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology E

 9.2. Size:271K  nxp
 pmn55ene.pdf pdf_icon

PMN55LN

PMN55ENE 60 V, N-channel Trench MOSFET 14 December 2017 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Logic-level compatible Very fast switching ElectroStatic Disch

Другие IGBT... PMN34UN, PMN34UP, PMN35EN, PMN38EN, PMN40LN, PMN45EN, PMN48XP, PMN49EN, IRF4905, PMR280UN, PMR290XN, PMR370XN, PMR400UN, PMR780SN, PMT21EN, PMT29EN, PMV117EN