PMR290XN - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PMR290XN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.53 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.97 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
Тип корпуса: SC75
Аналог (замена) для PMR290XN
PMR290XN Datasheet (PDF)
pmr290une.pdf

PMR290UNE20 V, 700 mA N-channel Trench MOSFETRev. 1 13 September 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT416 (SC-75) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Very fast switching ESD protection up to 2 kV Trenc
Другие MOSFET... PMN35EN , PMN38EN , PMN40LN , PMN45EN , PMN48XP , PMN49EN , PMN55LN , PMR280UN , AO3400 , PMR370XN , PMR400UN , PMR780SN , PMT21EN , PMT29EN , PMV117EN , PMV160UP , PMV16UN .
History: GSM4424 | SSF65R360S2 | RU30L40M-C
History: GSM4424 | SSF65R360S2 | RU30L40M-C



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sd786 | a940 transistor | 2sc1815 replacement | 2sc2383 | c3198 transistor | irfb3607pbf datasheet | 60n60 | 2n5485 equivalent