PMR290XN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMR290XN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.53 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.97 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm

Тип корпуса: SC75

Аналог (замена) для PMR290XN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMR290XN даташит

 8.1. Size:183K  nxp
 pmr290une.pdf pdf_icon

PMR290XN

PMR290UNE 20 V, 700 mA N-channel Trench MOSFET Rev. 1 13 September 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT416 (SC-75) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Very fast switching ESD protection up to 2 kV Trenc

Другие IGBT... PMN35EN, PMN38EN, PMN40LN, PMN45EN, PMN48XP, PMN49EN, PMN55LN, PMR280UN, AO3401, PMR370XN, PMR400UN, PMR780SN, PMT21EN, PMT29EN, PMV117EN, PMV160UP, PMV16UN