PMV20XN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMV20XN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.51 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: TO236AB

Аналог (замена) для PMV20XN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV20XN даташит

 ..1. Size:332K  tysemi
 pmv20xn.pdf pdf_icon

PMV20XN

Product specification PMV20XN 30 V, 4.8 A N-channel Trench MOSFET Rev. 1 5 April 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET t

 0.1. Size:719K  nxp
 pmv20xnea.pdf pdf_icon

PMV20XN

PMV20XNEA 20 V, N-channel Trench MOSFET 9 March 2016 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic Dischar

 0.2. Size:250K  nxp
 pmv20xne.pdf pdf_icon

PMV20XN

PMV20XNE 30 V, N-channel Trench MOSFET 10 November 2014 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Enhanced power dissipation capability of 12

 9.1. Size:308K  nxp
 pmv20en.pdf pdf_icon

PMV20XN

PMV20EN 30 V, N-channel Trench MOSFET 5 June 2014 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology Enhanced power dissipat

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PMR370XN, PMR400UN, PMR780SN, PMT21EN, PMT29EN, PMV117EN, PMV160UP, PMV16UN, 12N60, PMV213SN, PMV22EN, PMV28UN, PMV30UN, PMV30XN, PMV31XN, PMV32UP, PMV37EN