PMV30UN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMV30UN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm

Тип корпуса: TO236AB

Аналог (замена) для PMV30UN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV30UN даташит

 ..1. Size:238K  philips
 pmv30un.pdf pdf_icon

PMV30UN

PMV30UN TrenchMOS ultra low level FET Rev. 01 25 June 2003 Product data M3D088 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability PMV30UN in SOT23. 1.2 Features Surface mount package Fast switching. 1.3 Applications Battery management High-speed switches. 1.4 Qui

 ..2. Size:107K  tysemi
 pmv30un.pdf pdf_icon

PMV30UN

Product specification PMV30UN TrenchMOS ultra low level FET Rev. 01 25 June 2003 Product data 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability PMV30UN in SOT23. 1.2 Features Surface mount package Fast switching. 1.3 Applications Battery management High-speed swi

 0.1. Size:265K  nxp
 pmv30un2.pdf pdf_icon

PMV30UN

PMV30UN2 20 V, N-channel Trench MOSFET 24 April 2014 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching Enhanced power dissip

 9.1. Size:254K  nxp
 pmv30enea.pdf pdf_icon

PMV30UN

PMV30ENEA 40 V N-channel Trench MOSFET 2 April 2019 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology El

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PMT29EN, PMV117EN, PMV160UP, PMV16UN, PMV20XN, PMV213SN, PMV22EN, PMV28UN, AON6380, PMV30XN, PMV31XN, PMV32UP, PMV37EN, PMV40UN, PMV45EN, PMV48XP, PMV56XN