PMV60EN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PMV60EN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.055 Ohm
Тип корпуса: TO236AB
PMV60EN Datasheet (PDF)
pmv60en.pdf
PMV60ENTrenchMOS enhanced logic level FETRev. 01 15 January 2003 Product dataM3D0881. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PMV60EN in SOT23.1.2 Features Surface mount package Fast switching.1.3 Applications Battery management High speed switch.1
pmv60en.pdf
Product specificationPMV60ENTrenchMOS enhanced logic level FETRev. 01 15 January 2003 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PMV60EN in SOT23.1.2 Features Surface mount package Fast switching.1.3 Applications Battery management High s
pmv60enea.pdf
PMV60ENEA40 V, N-channel Trench MOSFET9 May 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology Ele
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
