Справочник MOSFET. PSMN130-200D

 

PSMN130-200D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PSMN130-200D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для PSMN130-200D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PSMN130-200D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:150K  philips
psmn130-200d hg 3.pdfpdf_icon

PSMN130-200D

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETPSMN130-200DN-channel TrenchMOS(TM)transistorProduct specification August 1999Philips Semiconductors Product specificationN-channel TrenchMOS(TM) transistor PSMN130-200DFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Very low on-state resistance VDSS = 200 V Fast switching Low thermal resistance ID = 20 AgR

 ..2. Size:899K  nxp
psmn130-200d.pdfpdf_icon

PSMN130-200D

PSMN130-200DN-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FETRev. 04 20 December 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionSiliconMAX standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial a

 ..3. Size:261K  inchange semiconductor
psmn130-200d.pdfpdf_icon

PSMN130-200D

Isc N-Channel MOSFET Transistor PSMN130-200DFEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source V

 9.1. Size:213K  philips
psmn1r3-30yl.pdfpdf_icon

PSMN130-200D

PSMN1R3-30YLN-channel 30 V 1.3 m logic level MOSFET in LFPAKRev. 02 25 June 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel MOSFET in LFPAK package qualified to 150 C. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment.1.2 Features and benefits Advanced TrenchMOS pro

Другие MOSFET... PSMN059-150Y , PSMN063-150D , PSMN069-100YS , PSMN070-200B , PSMN070-200P , PSMN085-150K , PSMN0R9-25YLC , PSMN102-200Y , STP75NF75 , PSMN165-200K , PSMN1R0-30YLC , PSMN1R1-25YLC , PSMN1R1-30EL , PSMN1R1-30PL , PSMN1R2-25YL , PSMN1R2-25YLC , PSMN1R2-30YLC .

History: SUU09N10-76P

 

 
Back to Top

 


 
.