APT1002R4CN - описание и поиск аналогов

 

APT1002R4CN - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: APT1002R4CN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
   Тип корпуса: TO254
 

 Аналог (замена) для APT1002R4CN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT1002R4CN технические параметры

 5.1. Size:81K  apt
 apt1002r4bnr apt1002rbnr.pdf pdf_icon

APT1002R4CN

 5.2. Size:50K  apt
 apt1002r4bn.pdf pdf_icon

APT1002R4CN

D TO-247 G APT1002RBN 1000V 7.0A 2.00 S APT1002R4BN 1000V 6.5A 2.40 POWER MOS IV N- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS MAXIMUM RATINGS All Ratings TC = 25 C unless otherwise specified. APT APT Symbol Parameter 1002RBN 1002R4BN UNIT VDSS Drain-Source Voltage 1000 1000 Volts ID Continuous Drain Current @ TC = 25 C 7.0 6.5 Amps IDM Pulsed Drain Current 1

 6.1. Size:49K  apt
 apt1002rcn.pdf pdf_icon

APT1002R4CN

D TO-254 G APT1002RCN 1000V 5.5A 2.00 S TM POWER MOS IV N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS MAXIMUM RATINGS All Ratings TC = 25 C unless otherwise specified. Symbol Parameter APT1002RCN UNIT VDSS Drain-Source Voltage 1000 Volts ID Continuous Drain Current @ TC = 25 C 5.5 Amps IDM Pulsed Drain Current 1 22 VGS Gate-Source Voltage 30 Volts Total Powe

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... APT1001RBVR , APT1001RSVR , APT10025JVFR , APT10025JVR , APT10025PVR , APT10026JN , APT1002R4AN , APT1002R4BN , SKD502T , APT1002RAN , APT1002RBN , APT1002RCN , APT1003R5AN , APT1003R5BN , APT1003R5CN , APT1003R5GN , APT10043JVR .

History: P0765ATF

 

 
Back to Top

 


 
.