Справочник MOSFET. APT1002R4CN

 

APT1002R4CN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APT1002R4CN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
   Тип корпуса: TO254
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

APT1002R4CN Datasheet (PDF)

 5.1. Size:81K  apt
 apt1002r4bnr apt1002rbnr.pdf pdf_icon

APT1002R4CN

 5.2. Size:50K  apt
 apt1002r4bn.pdf pdf_icon

APT1002R4CN

DTO-247GAPT1002RBN 1000V 7.0A 2.00SAPT1002R4BN 1000V 6.5A 2.40POWER MOS IVN- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.APT APTSymbol Parameter 1002RBN 1002R4BN UNITVDSS Drain-Source Voltage1000 1000 VoltsID Continuous Drain Current @ TC = 25C7.0 6.5AmpsIDM Pulsed Drain Current 1

 6.1. Size:49K  apt
 apt1002rcn.pdf pdf_icon

APT1002R4CN

DTO-254GAPT1002RCN 1000V 5.5A 2.00STMPOWER MOS IVN - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.Symbol Parameter APT1002RCN UNITVDSS Drain-Source Voltage1000 VoltsID Continuous Drain Current @ TC = 25C5.5AmpsIDM Pulsed Drain Current 122VGS Gate-Source Voltage30 VoltsTotal Powe

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... APT1001RBVR , APT1001RSVR , APT10025JVFR , APT10025JVR , APT10025PVR , APT10026JN , APT1002R4AN , APT1002R4BN , IRF1407 , APT1002RAN , APT1002RBN , APT1002RCN , APT1003R5AN , APT1003R5BN , APT1003R5CN , APT1003R5GN , APT10043JVR .

History: KI2302DS | TPC6004 | STW75N20 | NP82N06PLG | 2SK1828 | WST02N10 | HUFA75829D3S

 

 
Back to Top

 


 
.