Справочник MOSFET. STB100NF04

 

STB100NF04 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STB100NF04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 220 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для STB100NF04

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB100NF04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:398K  st
 stb100nf04 stp100nf04.pdf pdf_icon

STB100NF04

STP100NF04STB100NF04N-channel 40V - 0.0043 - 120A - TO-220 - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID PwSTP100NF04 40V

 ..2. Size:1472K  cn vbsemi
 stb100nf04.pdf pdf_icon

STB100NF04

STB100NF04www.VBsemi.twN-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) Maximum 175 C junction temperature0.005 at VGS = 10 V 10040 53 nC 100 % Rg and UIS tested0.006 at VGS = 4.5 V 98 Material categorization:for definitions of compliance please see DTO-263GSSSDDG

 0.1. Size:395K  st
 stb100nf04t4.pdf pdf_icon

STB100NF04

STP100NF04STB100NF04N-channel 40V - 0.0043 - 120A - TO-220 - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID PwSTP100NF04 40V

 0.2. Size:338K  st
 stb100nf04l.pdf pdf_icon

STB100NF04

STB100NF04LN-CHANNEL 40V - 0.0036 - 100A D2PAKSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB100NF04L 40 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PSMN9R5-100PS , PSMN9R5-100XS , PSMN9R5-30YLC , SI2302DS , SI2304DS , IRF630FP , IRF630M , STB100NF03L-03 , 7N65 , STB10NK60Z , STB11N52K3 , STB11NK40Z , STB11NK50Z , STB11NM60 , STB11NM60FD , STB11NM80 , STB120N4F6 .

 

 
Back to Top

 


 
.