Справочник MOSFET. APT1002RBN

 

APT1002RBN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: APT1002RBN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для APT1002RBN

 

 

APT1002RBN Datasheet (PDF)

 0.1. Size:81K  apt
 apt1002r4bnr apt1002rbnr.pdf

APT1002RBN APT1002RBN

 6.1. Size:49K  apt
 apt1002rcn.pdf

APT1002RBN APT1002RBN

DTO-254GAPT1002RCN 1000V 5.5A 2.00STMPOWER MOS IVN - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.Symbol Parameter APT1002RCN UNITVDSS Drain-Source Voltage1000 VoltsID Continuous Drain Current @ TC = 25C5.5AmpsIDM Pulsed Drain Current 122VGS Gate-Source Voltage30 VoltsTotal Powe

 6.2. Size:50K  apt
 apt1002r4bn.pdf

APT1002RBN APT1002RBN

DTO-247GAPT1002RBN 1000V 7.0A 2.00SAPT1002R4BN 1000V 6.5A 2.40POWER MOS IVN- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.APT APTSymbol Parameter 1002RBN 1002R4BN UNITVDSS Drain-Source Voltage1000 1000 VoltsID Continuous Drain Current @ TC = 25C7.0 6.5AmpsIDM Pulsed Drain Current 1

Другие MOSFET... APT10025JVFR , APT10025JVR , APT10025PVR , APT10026JN , APT1002R4AN , APT1002R4BN , APT1002R4CN , APT1002RAN , 18N50 , APT1002RCN , APT1003R5AN , APT1003R5BN , APT1003R5CN , APT1003R5GN , APT10043JVR , APT1004R2AN , APT1004R2BN .

 

 
Back to Top