APT1002RBN - описание и поиск аналогов

 

APT1002RBN - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: APT1002RBN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для APT1002RBN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT1002RBN технические параметры

 0.1. Size:81K  apt
 apt1002r4bnr apt1002rbnr.pdf pdf_icon

APT1002RBN

 6.1. Size:49K  apt
 apt1002rcn.pdf pdf_icon

APT1002RBN

D TO-254 G APT1002RCN 1000V 5.5A 2.00 S TM POWER MOS IV N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS MAXIMUM RATINGS All Ratings TC = 25 C unless otherwise specified. Symbol Parameter APT1002RCN UNIT VDSS Drain-Source Voltage 1000 Volts ID Continuous Drain Current @ TC = 25 C 5.5 Amps IDM Pulsed Drain Current 1 22 VGS Gate-Source Voltage 30 Volts Total Powe

 6.2. Size:50K  apt
 apt1002r4bn.pdf pdf_icon

APT1002RBN

D TO-247 G APT1002RBN 1000V 7.0A 2.00 S APT1002R4BN 1000V 6.5A 2.40 POWER MOS IV N- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS MAXIMUM RATINGS All Ratings TC = 25 C unless otherwise specified. APT APT Symbol Parameter 1002RBN 1002R4BN UNIT VDSS Drain-Source Voltage 1000 1000 Volts ID Continuous Drain Current @ TC = 25 C 7.0 6.5 Amps IDM Pulsed Drain Current 1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... APT10025JVFR , APT10025JVR , APT10025PVR , APT10026JN , APT1002R4AN , APT1002R4BN , APT1002R4CN , APT1002RAN , 13N50 , APT1002RCN , APT1003R5AN , APT1003R5BN , APT1003R5CN , APT1003R5GN , APT10043JVR , APT1004R2AN , APT1004R2BN .

History: DHS021N04D | BSB056N10NN3G

 

 
Back to Top

 


 
.