STB20NM60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB20NM60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB20NM60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB20NM60 даташит

 ..1. Size:444K  st
 stb20nm60 stp20nm60fp stp20nm60 stw20nm60.pdf pdf_icon

STB20NM60

STB20NM60-1 - STP20NM60FP STB20NM60 - STP20NM60 - STW20NM60 N-channel 600V - 0.25 - 20A - TO-247 - TO-220/FP - D2/I2PAK MDmesh Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID 3 1 STP20NM60 600V

 ..2. Size:437K  st
 stb20nm60-1 stp20nm60fp stb20nm60 stp20nm60 stw20nm60.pdf pdf_icon

STB20NM60

STB20NM60-1 - STP20NM60FP STB20NM60 - STP20NM60 - STW20NM60 N-channel 600V - 0.25 - 20A - TO-247 - TO-220/FP - D2/I2PAK MDmesh Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID 3 1 STP20NM60 600V

 0.1. Size:442K  st
 stb20nm60-1 stb20nm60t4.pdf pdf_icon

STB20NM60

STB20NM60-1 - STP20NM60FP STB20NM60 - STP20NM60 - STW20NM60 N-channel 600V - 0.25 - 20A - TO-247 - TO-220/FP - D2/I2PAK MDmesh Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID 3 1 STP20NM60 600V

 0.2. Size:286K  st
 stb20nm60d.pdf pdf_icon

STB20NM60

STB20NM60D N-channel 600V - 0.26 - 20A - D2PAK FDmesh Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID Pw STB20NM60D 600V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STB18NM60N, STB18NM80, STB190NF04, STB19NF20, STB200N4F3, STB200N6F3, STB200NF03, STB20NM50FD, IRFZ24N, STB20NM60D, STB21N65M5, STB21NK50Z, STB21NM60ND, STB22NM60N, STB22NS25Z, STB230NH03L, STB23NM50N