STB20NM60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STB20NM60
Маркировка: B20NM60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 192 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 39 nC
Время нарастания (tr): 20 ns
Выходная емкость (Cd): 350 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.29 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
STB20NM60 Datasheet (PDF)
stb20nm60 stp20nm60fp stp20nm60 stw20nm60.pdf
STB20NM60-1 - STP20NM60FPSTB20NM60 - STP20NM60 - STW20NM60N-channel 600V - 0.25 - 20A - TO-247 - TO-220/FP - D2/I2PAKMDmesh Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID31STP20NM60 600V
stb20nm60-1 stp20nm60fp stb20nm60 stp20nm60 stw20nm60.pdf
STB20NM60-1 - STP20NM60FPSTB20NM60 - STP20NM60 - STW20NM60N-channel 600V - 0.25 - 20A - TO-247 - TO-220/FP - D2/I2PAKMDmesh Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID31STP20NM60 600V
stb20nm60-1 stb20nm60t4.pdf
STB20NM60-1 - STP20NM60FPSTB20NM60 - STP20NM60 - STW20NM60N-channel 600V - 0.25 - 20A - TO-247 - TO-220/FP - D2/I2PAKMDmesh Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID31STP20NM60 600V
stb20nm60d.pdf
STB20NM60DN-channel 600V - 0.26 - 20A - D2PAKFDmesh Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID PwSTB20NM60D 600V
stb20nm60a-1 stp20nm60a stf20nm60a.pdf
STB20NM60A-1STP20NM60A - STF20NM60AN-CHANNEL 650V@Tjmax - 0.25 - 20A IPAK/TO-220/TO-220FPMDmesh MOSFETTYPE VDSS @Tjmax RDS(on) IDSTB20NM60A-1 650 V
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
