Справочник MOSFET. STB300NH02L

 

STB300NH02L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STB300NH02L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 275 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3251 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для STB300NH02L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB300NH02L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:332K  st
stb300nh02l stp300nh02l.pdfpdf_icon

STB300NH02L

STB300NH02LSTP300NH02LN-channel 24V - 120A - TO-220 / D2PAKSTripFET Power MOSFETPreliminary DataFeaturesType VDSS RDS(on) Max IDSTB300NH02L 24V

 9.1. Size:359K  st
stb30ns15.pdfpdf_icon

STB300NH02L

STB30NS15N-CHANNEL 150V - 0.075 - 30A D2PAKLOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB30NS15 150 V

 9.2. Size:455K  st
stb30nf10.pdfpdf_icon

STB300NH02L

STB30NF10STP30NF10 STP30NF10FPN-CHANNEL 100V - 0.038 - 35A TO-220/TO-220FP/D2PAKLOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB30NF10 100 V

 9.3. Size:502K  st
stb30nf10 stp30nf10 stp30nf10fp.pdfpdf_icon

STB300NH02L

STB30NF10STP30NF10 - STP30NF10FPN-channel 100V - 0.038 - 35A - D2PAK/TO-220/TO-220FPLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB30NF10 100V

Другие MOSFET... STB23NM60ND , STB24NM60N , STB24NM65N , STB25NM50N , STB25NM60ND , STB26NM60N , STB270N4F3 , STB28NM50N , IRF9640 , STB30N65M5 , STB30NF10 , STB30NF20 , STB30NM50N , STB30NM60ND , STB32N65M5 , STB34NM60ND , STB35N65M5 .

History: STL10N65M2 | STB24N60DM2 | IRL60S216 | KIA18N50H-220F | WMM80R720S | SM4307PSKC-TRG | HUFA76413DK8TF085

 

 
Back to Top

 


 
.