STB30NF20 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STB30NF20
Маркировка: 30NF20
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 38 nC
trⓘ - Время нарастания: 15.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
STB30NF20 Datasheet (PDF)
stp30nf20 stb30nf20 stw30nf20.pdf
STP30NF20 - STB30NF20STW30NF20N-channel 200V - 0.065 - 30A - TO-220/TO-247/D2PAKLow gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID PTOTSTP30NF20 200V 0.075 30A 125WSTW30NF20 200V 0.075 30A 125W3322STB30NF20 200V 0.075 30A 125W11TO-2473 Gate charge minimized TO-2201 100% avalanche testedDPAK Excellent figure of me
stp30nf20 stw30nf20 stb30nf20.pdf
STP30NF20 - STB30NF20STW30NF20N-channel 200V - 0.065 - 30A - TO-220/TO-247/D2PAKLow gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID PTOTSTP30NF20 200V 0.075 30A 125WSTW30NF20 200V 0.075 30A 125W3322STB30NF20 200V 0.075 30A 125W11TO-2473 Gate charge minimized TO-2201 100% avalanche testedDPAK Excellent figure of me
stb30nf20.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor STB30NF20FEATURESDrain Current : I = 30A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 75m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solen
stb30nf20l.pdf
STB30NF20LN-channel 200 V, 0.065 , 30 A STripFET Power MOSFET in D2PAK packageDatasheet production dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on) ID PTOTSTB30NF20L 200 V 0.075 30 A 150 WTAB Gate charge minimized 100% avalanche tested3 Excellent figure of merit (RDS* Qg)1 Very good manufacturing repeatabilityDPAK Very low intrinsic capacitanceApp
stb30nf10.pdf
STB30NF10STP30NF10 STP30NF10FPN-CHANNEL 100V - 0.038 - 35A TO-220/TO-220FP/D2PAKLOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB30NF10 100 V
stb30nf10 stp30nf10 stp30nf10fp.pdf
STB30NF10STP30NF10 - STP30NF10FPN-channel 100V - 0.038 - 35A - D2PAK/TO-220/TO-220FPLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB30NF10 100V
stb30nf10t4 stb30nf10 stp30nf10 stp30nf10fp.pdf
STB30NF10STP30NF10 - STP30NF10FPN-channel 100V - 0.038 - 35A - D2PAK/TO-220/TO-220FPLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB30NF10 100V
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918