Справочник MOSFET. STB30NF20

 

STB30NF20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STB30NF20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STB30NF20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:386K  st
stp30nf20 stb30nf20 stw30nf20.pdfpdf_icon

STB30NF20

STP30NF20 - STB30NF20STW30NF20N-channel 200V - 0.065 - 30A - TO-220/TO-247/D2PAKLow gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID PTOTSTP30NF20 200V 0.075 30A 125WSTW30NF20 200V 0.075 30A 125W3322STB30NF20 200V 0.075 30A 125W11TO-2473 Gate charge minimized TO-2201 100% avalanche testedDPAK Excellent figure of me

 ..2. Size:393K  st
stp30nf20 stw30nf20 stb30nf20.pdfpdf_icon

STB30NF20

STP30NF20 - STB30NF20STW30NF20N-channel 200V - 0.065 - 30A - TO-220/TO-247/D2PAKLow gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID PTOTSTP30NF20 200V 0.075 30A 125WSTW30NF20 200V 0.075 30A 125W3322STB30NF20 200V 0.075 30A 125W11TO-2473 Gate charge minimized TO-2201 100% avalanche testedDPAK Excellent figure of me

 ..3. Size:355K  inchange semiconductor
stb30nf20.pdfpdf_icon

STB30NF20

isc N-Channel MOSFET Transistor STB30NF20FEATURESDrain Current : I = 30A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 75m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solen

 0.1. Size:847K  st
stb30nf20l.pdfpdf_icon

STB30NF20

STB30NF20LN-channel 200 V, 0.065 , 30 A STripFET Power MOSFET in D2PAK packageDatasheet production dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on) ID PTOTSTB30NF20L 200 V 0.075 30 A 150 WTAB Gate charge minimized 100% avalanche tested3 Excellent figure of merit (RDS* Qg)1 Very good manufacturing repeatabilityDPAK Very low intrinsic capacitanceApp

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: EM6M2 | STP20NM60FP | 2N6760JANTXV | IRLML9301TRPBF | SSM6N36TU | RU7550S | AUIRFZ34N

 

 
Back to Top

 


 
.