Справочник MOSFET. STB80NF10

 

STB80NF10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STB80NF10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STB80NF10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:579K  st
 stb80nf10 stp80nf10.pdf pdf_icon

STB80NF10

STB80NF10STP80NF10N-channel 100 V, 0.012 , 80 A, TO-220, D2PAKlow gate charge STripFET II Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTP80NF10 100 V

 0.1. Size:577K  st
 stb80nf10t4.pdf pdf_icon

STB80NF10

STB80NF10STP80NF10N-channel 100 V, 0.012 , 80 A, TO-220, D2PAKlow gate charge STripFET II Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTP80NF10 100 V

 6.1. Size:501K  st
 stb80nf12.pdf pdf_icon

STB80NF10

STB80NF12 STW80NF12STP80NF12 STP80NF12FPN-CHANNEL 120V-0.013-80A TO-220/TO-247/TO-220FP/DPAKSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDTO-220 TO-220FPSTB80NF12 120 V

 7.1. Size:447K  st
 stb80nf55-06 stb80nf55-06-1 stp80nf55-06 stp80nf55-06fp.pdf pdf_icon

STB80NF10

STB80NF55-06 - STB80NF55-06-1STP80NF55-06 - STP80NF55-06FPN-channel 55V - 0.005 - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB80NF55-06 55V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: PHW8ND50E | HGB110N10SL | IPD50R280CE | FQT4N20L | PA502FMG | NDT6N70 | TMPF5N60Z

 

 
Back to Top

 


 
.