Справочник MOSFET. STB80NF10

 

STB80NF10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STB80NF10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для STB80NF10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB80NF10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:579K  st
stb80nf10 stp80nf10.pdfpdf_icon

STB80NF10

STB80NF10STP80NF10N-channel 100 V, 0.012 , 80 A, TO-220, D2PAKlow gate charge STripFET II Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTP80NF10 100 V

 0.1. Size:577K  st
stb80nf10t4.pdfpdf_icon

STB80NF10

STB80NF10STP80NF10N-channel 100 V, 0.012 , 80 A, TO-220, D2PAKlow gate charge STripFET II Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTP80NF10 100 V

 6.1. Size:501K  st
stb80nf12.pdfpdf_icon

STB80NF10

STB80NF12 STW80NF12STP80NF12 STP80NF12FPN-CHANNEL 120V-0.013-80A TO-220/TO-247/TO-220FP/DPAKSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDTO-220 TO-220FPSTB80NF12 120 V

 7.1. Size:447K  st
stb80nf55-06 stb80nf55-06-1 stp80nf55-06 stp80nf55-06fp.pdfpdf_icon

STB80NF10

STB80NF55-06 - STB80NF55-06-1STP80NF55-06 - STP80NF55-06FPN-channel 55V - 0.005 - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB80NF55-06 55V

Другие MOSFET... STB75NF75L , STB76NF75 , STB7N52K3 , STB7NK80Z , STB7NK80Z-1 , STB80N20M5 , STB80NF03L-04 , STB80NF03L-04T4 , TK10A60D , STB80NF55-08T4 , STB80NF55L-06 , STB80NF55L-08-1 , STB80PF55 , STB85NF3LL , STB85NF55 , STB8N65M5 , STB8NM60 .

History: RF1S40N10 | IRL1104S | TK8A60DA | SSF6816 | SSF7609 | SWHA80N06V1 | HRS90N75K

 

 
Back to Top

 


 
.