STB80NF55L-06 - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

STB80NF55L-06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: STB80NF55L-06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 55 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 16 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 100 nC
   Время нарастания (tr): 180 ns
   Выходная емкость (Cd): 1040 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB80NF55L-06

STB80NF55L-06 Datasheet (PDF)

..1. Size:399K st
stb80nf55l-06 stp80nf55l-06.pdf

STB80NF55L-06STP80NF55L-06N-CHANNEL 55V - 0.005 - 80A DPAK/TO-220STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB80NF55L-06 55 V

2.1. Size:195K st
stb80nf55l-08.pdf

STP80NF55L-08STB80NF55L-08 - STB80NF55L-08-1N-CHANNEL 55V - 0.0065 - 80A - TO-220/D2PAK/I2PAKSTripFET II POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP80NF55L-08 55 V 0.008 80 ASTB80NF55L-08 55 V 0.008 80 ASTB80NF55L-08-1 55 V 0.008 80 A33 1 TYPICAL RDS(on) = 0.006521D2PAK LOW THRESHOLD DRIVETO-220 LOGIC LEVEL DEVICE321I2PAKDESC

2.2. Size:195K st
stp80nf55l-08 stb80nf55l-08 stb80nf55l-08-1.pdf