STB8NM60D - описание и поиск аналогов

 

STB8NM60D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB8NM60D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB8NM60D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB8NM60D даташит

 ..1. Size:746K  st
stb8nm60d stp8nm60d.pdfpdf_icon

STB8NM60D

STB8NM60D STP8NM60D N-CHANNEL 600V - 0.9 - 8A - TO-220/D2PAK Fast Diode MDmesh Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID PTOT STB8NM60D 600V

 6.1. Size:698K  st
stb8nm60n std8nm60n-1 stf8nm60n stp8nm60n.pdfpdf_icon

STB8NM60D

STx8NM60N N-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK Features VDSS RDS(on) Type ID 3 (@Tjmax) max 2 1 3 2 STB8NM60N 650 V

 6.2. Size:554K  st
stb8nm60t4 std5nm60-1 std5nm60t4 stp8nm60fp.pdfpdf_icon

STB8NM60D

STD5NM60 STB8NM60 - STP8NM60 N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 , 8 A MDmesh Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, DPAK, IPAK Features Type VDSS RDS(on) ID Pw 3 1 STD5NM60 650 V

 6.3. Size:559K  st
stp8nm60 std5nm60 stb8nm60.pdfpdf_icon

STB8NM60D

STD5NM60 STB8NM60 - STP8NM60 N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 , 8 A MDmesh Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, DPAK, IPAK Features Type VDSS RDS(on) ID Pw 3 1 STD5NM60 650 V

Другие MOSFET... STB80NF55-08T4 , STB80NF55L-06 , STB80NF55L-08-1 , STB80PF55 , STB85NF3LL , STB85NF55 , STB8N65M5 , STB8NM60 , NCEP15T14 , STB95N3LLH6 , STB9NK50Z , STB9NK60Z , STB9NK60ZD , STB9NK70Z-1 , STB9NK90Z , STD100N3LF3 , STD10NF10 .

History: APTM100A23SCTG | STD12NF06T4 | IRF3000PBF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.