Справочник MOSFET. STB8NM60D

 

STB8NM60D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STB8NM60D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для STB8NM60D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB8NM60D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:746K  st
 stb8nm60d stp8nm60d.pdf pdf_icon

STB8NM60D

STB8NM60DSTP8NM60DN-CHANNEL 600V - 0.9 - 8A - TO-220/D2PAKFast Diode MDmesh Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID PTOTSTB8NM60D 600V

 6.1. Size:698K  st
 stb8nm60n std8nm60n-1 stf8nm60n stp8nm60n.pdf pdf_icon

STB8NM60D

STx8NM60NN-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAKFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max2132STB8NM60N 650 V

 6.2. Size:554K  st
 stb8nm60t4 std5nm60-1 std5nm60t4 stp8nm60fp.pdf pdf_icon

STB8NM60D

STD5NM60STB8NM60 - STP8NM60N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 , 8 A MDmesh Power MOSFETTO-220, TO-220FP, D2PAK, DPAK, IPAKFeaturesType VDSS RDS(on) ID Pw31STD5NM60 650 V

 6.3. Size:559K  st
 stp8nm60 std5nm60 stb8nm60.pdf pdf_icon

STB8NM60D

STD5NM60STB8NM60 - STP8NM60N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 , 8 A MDmesh Power MOSFETTO-220, TO-220FP, D2PAK, DPAK, IPAKFeaturesType VDSS RDS(on) ID Pw31STD5NM60 650 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STB80NF55-08T4 , STB80NF55L-06 , STB80NF55L-08-1 , STB80PF55 , STB85NF3LL , STB85NF55 , STB8N65M5 , STB8NM60 , IRFP450 , STB95N3LLH6 , STB9NK50Z , STB9NK60Z , STB9NK60ZD , STB9NK70Z-1 , STB9NK90Z , STD100N3LF3 , STD10NF10 .

 

 
Back to Top

 


 
.