APT10050B2VR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APT10050B2VR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 520 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 595 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для APT10050B2VR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT10050B2VR даташит

 ..1. Size:59K  apt
 apt10050b2vr.pdf pdf_icon

APT10050B2VR

APT10050B2VR 1000V 21A 0.500 POWER MOS V T-MAX Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Faster Switching 100% Avalanche Tested D L

 3.1. Size:107K  apt
 apt10050b2vfr.pdf pdf_icon

APT10050B2VR

APT10050B2VFR APT10050LVFR 1000V 21A 0.500W B2VR POWER MOS V T-MAX Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-264 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. LVR Identical Specifica

 3.2. Size:67K  apt
 apt10050b2vfrg apt10050lvfrg.pdf pdf_icon

APT10050B2VR

APT10050B2VFR APT10050LVFR 1000V 21A 0.500 B2VFR POWER MOS V T-MAX Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-264 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. LVFR

 4.1. Size:68K  apt
 apt10050b2lc.pdf pdf_icon

APT10050B2VR

APT10050B2LC APT10050LLC 1000V 21A 0.500W B2LC TM POWER MOS VI T-MAX Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage TO-264 N-Channel enhancement mode power MOSFETs. Lower gate charge is achieved by optimizing the manufacturing process to minimize Ciss and Crss. Lower gate charge coupled with Power MOS VITM optimized gate layout, LLC delivers exceptionally fa

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT1004R2BN, APT1004R2CN, APT1004R2GN, APT1004RAN, APT1004RBN, APT1004RCN, APT1004RGN, APT1004RKN, 4N60, APT10050JN, APT10050JVFR, APT10050JVR, APT10050LVFR, APT10050LVR, APT10057WVR, APT10086BVFR, APT10086BVR