Справочник MOSFET. STD3NM60-1

 

STD3NM60-1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD3NM60-1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
 

 Аналог (замена) для STD3NM60-1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD3NM60-1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:705K  st
 std3nm60 std3nm60-1 stp4nm60.pdf pdf_icon

STD3NM60-1

STP4NM60STD3NM60, STD3NM60-1N-channel 600 V, 1.3 , 3 A TO-220, DPAK, IPAKZener-protected MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on)Type ID PW(@Tjmax) max31STD3NM60323 A 42 WDPAK1STD3NM60-1 650

 6.1. Size:711K  st
 std3nm60t4.pdf pdf_icon

STD3NM60-1

STP4NM60STD3NM60, STD3NM60-1N-channel 600 V, 1.3 , 3 A TO-220, DPAK, IPAKZener-protected MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on)Type ID PW(@Tjmax) max31STD3NM60323 A 42 WDPAK1STD3NM60-1 650

 6.2. Size:903K  st
 std3nm60n.pdf pdf_icon

STD3NM60-1

STD3NM60NN-channel 600 V, 1.6 , 3.3 A, MDmesh II Power MOSFET in DPAK packageDatasheet preliminary dataFeaturesVDSS RDS(on) Order codes ID@TJmax max.STD3NM60N 650 V

 8.1. Size:280K  st
 std3nm50 std3nm50t4.pdf pdf_icon

STD3NM60-1

STD3NM50STD3NM50-1N-CHANNEL 550V @ Tjmax- 2.5 - 3A DPAK/IPAKZener-Protected MDmesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID(@Tjmax)STD3NM50 550V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STD3NK50Z , STD3NK60Z , STD3NK60Z-1 , STD3NK60ZD , STD3NK80Z , STD3NK80Z-1 , STD3NK90Z , STD3NM60 , 2N7000 , STD3PK50Z , STD40N2LH5 , STD40NF03L , STD40NF10 , STD40NF3LL , STD44N4LF6 , STD45NF75 , STD4N52K3 .

History: SIA914ADJ | APT8024B2FLLG | PK610SA | AM6401 | AM7001P | 2SJ313 | RQJ0306FQDQS

 

 
Back to Top

 


 
.