STD3NM60-1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STD3NM60-1
Маркировка: D3NM60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 10 nC
Время нарастания (tr): 4 ns
Выходная емкость (Cd): 132 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.5 Ohm
Тип корпуса: IPAK
Аналог (замена) для STD3NM60-1
STD3NM60-1 Datasheet (PDF)
std3nm60 std3nm60-1 stp4nm60.pdf
STP4NM60STD3NM60, STD3NM60-1N-channel 600 V, 1.3 , 3 A TO-220, DPAK, IPAKZener-protected MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on)Type ID PW(@Tjmax) max31STD3NM60323 A 42 WDPAK1STD3NM60-1 650
std3nm60t4.pdf
STP4NM60STD3NM60, STD3NM60-1N-channel 600 V, 1.3 , 3 A TO-220, DPAK, IPAKZener-protected MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on)Type ID PW(@Tjmax) max31STD3NM60323 A 42 WDPAK1STD3NM60-1 650
std3nm60n.pdf
STD3NM60NN-channel 600 V, 1.6 , 3.3 A, MDmesh II Power MOSFET in DPAK packageDatasheet preliminary dataFeaturesVDSS RDS(on) Order codes ID@TJmax max.STD3NM60N 650 V
std3nm50 std3nm50t4.pdf
STD3NM50STD3NM50-1N-CHANNEL 550V @ Tjmax- 2.5 - 3A DPAK/IPAKZener-Protected MDmesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID(@Tjmax)STD3NM50 550V
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
