STD50N03L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STD50N03L
Маркировка: D50N03L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10.4 nC
trⓘ - Время нарастания: 125 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 294 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
Тип корпуса: DPAK
STD50N03L Datasheet (PDF)
std50n03l std50n03l-1.pdf
STD50N03LSTD50N03L-1N-CHANNEL 30V - 9.2m - 40A - DPAK/IPAKSTripFET III Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD50N03L 30V 10.5m 40ASTD50N03L-1 30V 10.5m 40A332 RDS(on)*Qg industrys benchmark 1 1 Conduction losses reducedDPAKIPAK Switching losses reduced Low threshold deviceDescriptionThis product utilizes the latest advan
std50nh02l-1 std50nh02lt4.pdf
STD50NH02LSTD50NH02L-1N-channel 24V - 0.0085 - 50A - DPAK/IPAKSTripFET III Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD50NH02L-1 24V
std50nh02l std50nh02l-1.pdf
STD50NH02LSTD50NH02L-1N-channel 24V - 0.0085 - 50A - DPAK/IPAKSTripFET III Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD50NH02L-1 24V
std50nh02l.pdf
STD50NH02LN-CHANNEL 24V - 0.0085 - 50A DPAK/IPAKSTripFET III POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD50NH02L 24 V
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918