STD50N03L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STD50N03L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 125 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 294 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для STD50N03L
STD50N03L Datasheet (PDF)
std50n03l std50n03l-1.pdf
STD50N03LSTD50N03L-1N-CHANNEL 30V - 9.2m - 40A - DPAK/IPAKSTripFET III Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD50N03L 30V 10.5m 40ASTD50N03L-1 30V 10.5m 40A332 RDS(on)*Qg industrys benchmark 1 1 Conduction losses reducedDPAKIPAK Switching losses reduced Low threshold deviceDescriptionThis product utilizes the latest advan
std50nh02l-1 std50nh02lt4.pdf
STD50NH02LSTD50NH02L-1N-channel 24V - 0.0085 - 50A - DPAK/IPAKSTripFET III Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD50NH02L-1 24V
std50nh02l std50nh02l-1.pdf
STD50NH02LSTD50NH02L-1N-channel 24V - 0.0085 - 50A - DPAK/IPAKSTripFET III Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD50NH02L-1 24V
std50nh02l.pdf
STD50NH02LN-CHANNEL 24V - 0.0085 - 50A DPAK/IPAKSTripFET III POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD50NH02L 24 V
Другие MOSFET... STD4NK50Z-1 , STD4NK50ZD , STD4NK50ZD-1 , STD4NK60Z , STD4NK60Z-1 , STD4NK80Z , STD4NK80Z-1 , STD4NS25 , IRFB3607 , STD50N03L-1 , STD55N4F5 , STD5N20 , STD5N20L , STD5N52K3 , STD5N52U , STD5N62K3 , STD5N95K3 .
History: AP80N07D | AP150N04D
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001 | irf830 | irfp450 | mj21193 | s9014 transistor