Справочник MOSFET. STD5NM50

 

STD5NM50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD5NM50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 88 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для STD5NM50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD5NM50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:463K  st
 std5nm50.pdf pdf_icon

STD5NM50

STD5NM50STD5NM50-1N-CHANNEL 500V - 0.7 - 7.5A DPAK/IPAKMDmeshPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD5NM50 500V

 ..2. Size:423K  st
 std5nm50 std5nm50-1.pdf pdf_icon

STD5NM50

STD5NM50STD5NM50-1N-CHANNEL 500V - 0.7 - 7.5A DPAK/IPAKMDmeshPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD5NM50 500V

 0.1. Size:338K  st
 std5nm50t4.pdf pdf_icon

STD5NM50

STD5NM50STD5NM50-1N-CHANNEL 500V - 0.7 - 7.5A DPAK/IPAKMDmeshPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD5NM50 500V

 0.2. Size:277K  inchange semiconductor
 std5nm50t4.pdf pdf_icon

STD5NM50

isc N-Channel MOSFET Transistor STD5NM50T4FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)0.8100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 500 VDSSV Gate-Source Voltage 30 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STD5N52K3 , STD5N52U , STD5N62K3 , STD5N95K3 , STD5NK40Z , STD5NK50Z , STD5NK52ZD , STD5NK60Z , P0903BDG , STD5NM50-1 , STD5NM60 , STD60N3LH5 , STD60N55F3 , STD60NF06 , STD60NF3LL , STD60NF55L , STD60NF55L-1 .

History: IXFH30N50Q3 | KF7N65FM | STY80NM60N | IRF1407PBF

 

 
Back to Top

 


 
.