STD5NM50-1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STD5NM50-1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 13 nC
Время нарастания (tr): 8 ns
Выходная емкость (Cd): 88 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.8 Ohm
Тип корпуса: IPAK
Аналог (замена) для STD5NM50-1
STD5NM50-1 Datasheet (PDF)
std5nm50 std5nm50-1.pdf
STD5NM50STD5NM50-1N-CHANNEL 500V - 0.7 - 7.5A DPAK/IPAKMDmeshPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD5NM50 500V
std5nm50.pdf
STD5NM50STD5NM50-1N-CHANNEL 500V - 0.7 - 7.5A DPAK/IPAKMDmeshPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD5NM50 500V
std5nm50t4.pdf
STD5NM50STD5NM50-1N-CHANNEL 500V - 0.7 - 7.5A DPAK/IPAKMDmeshPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD5NM50 500V
std5nm50t4.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor STD5NM50T4FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)0.8100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 500 VDSSV Gate-Source Voltage 30 V
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
