Справочник MOSFET. STD5NM50-1

 

STD5NM50-1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD5NM50-1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 88 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
 

 Аналог (замена) для STD5NM50-1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD5NM50-1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:423K  st
 std5nm50 std5nm50-1.pdf pdf_icon

STD5NM50-1

STD5NM50STD5NM50-1N-CHANNEL 500V - 0.7 - 7.5A DPAK/IPAKMDmeshPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD5NM50 500V

 6.1. Size:463K  st
 std5nm50.pdf pdf_icon

STD5NM50-1

STD5NM50STD5NM50-1N-CHANNEL 500V - 0.7 - 7.5A DPAK/IPAKMDmeshPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD5NM50 500V

 6.2. Size:338K  st
 std5nm50t4.pdf pdf_icon

STD5NM50-1

STD5NM50STD5NM50-1N-CHANNEL 500V - 0.7 - 7.5A DPAK/IPAKMDmeshPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD5NM50 500V

 6.3. Size:277K  inchange semiconductor
 std5nm50t4.pdf pdf_icon

STD5NM50-1

isc N-Channel MOSFET Transistor STD5NM50T4FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)0.8100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 500 VDSSV Gate-Source Voltage 30 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STD5N52U , STD5N62K3 , STD5N95K3 , STD5NK40Z , STD5NK50Z , STD5NK52ZD , STD5NK60Z , STD5NM50 , 5N65 , STD5NM60 , STD60N3LH5 , STD60N55F3 , STD60NF06 , STD60NF3LL , STD60NF55L , STD60NF55L-1 , STD60NF55LA .

History: TMU830 | JCS630SA | HYG035N10NS2P

 

 
Back to Top

 


 
.