STD60NF06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STD60NF06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 108 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
Тип корпуса: DPAK
STD60NF06 Datasheet (PDF)
std60nf06.pdf
STD60NF06N-channel 60V - 0.014 - 60A - DPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD60NF06 60V
std60nf06t4.pdf
STD60NF06N-channel 60V - 0.014 - 60A - DPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD60NF06 60V
std60nf06t4.pdf
STD60NF06T4www.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 50 Material categorization:600.013 at VGS = 4.5 V 45DTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limi
std60nf55la.pdf
STD60NF55LAN-channel 55V - 0.012 - 60A - DPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD60NF55LA 55V
std60nf3ll std60nf3llt4.pdf
STD60NF3LLN-channel 30V - 0.0075 - 60A - DPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD60NF3LL 60V
std60nf55l-1.pdf
STD60NF55LSTD60NF55L-1N-channel 55V - 0.012 - 60A - DPAK/IPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD60NF55L-1 55V
std60nf55l.pdf
STD60NF55LN-CHANNEL 55V - 0.012 - 60A DPAKSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD60NF55L 55V
std60nf55lt4.pdf
STD60NF55LSTD60NF55L-1N-channel 55V - 0.012 - 60A - DPAK/IPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD60NF55L-1 55V
std60nf3l.pdf
STD60NF3Lwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.005 at VGS = 10 V 8030 31 nC0.006 at VGS = 4.5 V 68APPLICATIONSD OR-ingTO-252 Server DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETABSOL
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918