Справочник MOSFET. STE250NS10

 

STE250NS10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STE250NS10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 220 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 380 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: ISOTOP
 

 Аналог (замена) для STE250NS10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STE250NS10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:332K  st
ste250ns10.pdfpdf_icon

STE250NS10

STE250NS10N-channel 100 V, 0.0045 , 220 A, ISOTOPSTripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTE250NS10 100 V

 7.1. Size:261K  1
ste250n05.pdfpdf_icon

STE250NS10

 7.2. Size:330K  1
ste250n06.pdfpdf_icon

STE250NS10

STE250N06 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGETYPE VDSS RDS(on) IDSTE250N06 60 V

Другие MOSFET... STD90N4F3 , STD95N2LH5 , STD95N3LLH6 , STD95N4F3 , STD95N4LF3 , STD9NM50N , STD9NM60N , STE140NF20D , IRF640 , STE30NK90Z , STE40NC60 , STE40NK90ZD , STE48NM50 , STE53NC50 , STE70NM50 , STE70NM60 , STF10N62K3 .

History: 2SK3230B | IRF5Y6215CM | JCS7N60C | FIR12N65FG | DH026N06B

 

 
Back to Top

 


 
.