STE250NS10 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STE250NS10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 220 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 380 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 4300 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
Тип корпуса: ISOTOP
Аналог (замена) для STE250NS10
STE250NS10 Datasheet (PDF)
..1. Size:332K st
ste250ns10.pdf
ste250ns10.pdf
STE250NS10N-channel 100 V, 0.0045 , 220 A, ISOTOPSTripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTE250NS10 100 V
7.2. Size:330K 1
ste250n06.pdf
ste250n06.pdf
STE250N06 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGETYPE VDSS RDS(on) IDSTE250N06 60 V
Другие MOSFET... STD90N4F3 , STD95N2LH5 , STD95N3LLH6 , STD95N4F3 , STD95N4LF3 , STD9NM50N , STD9NM60N , STE140NF20D , IRFP460 , STE30NK90Z , STE40NC60 , STE40NK90ZD , STE48NM50 , STE53NC50 , STE70NM50 , STE70NM60 , STF10N62K3 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
irf9540n datasheet | ss8050 | irfp4668 | mpsa56 | c3205 transistor | tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g