Справочник MOSFET. STE53NC50

 

STE53NC50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STE53NC50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 460 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 53 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: ISOTOP
 

 Аналог (замена) для STE53NC50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STE53NC50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:278K  st
ste53nc50.pdfpdf_icon

STE53NC50

STE53NC50N-CHANNEL 500V - 0.070 - 53A ISOTOPPowerMeshII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTE53NC50 500V

 8.1. Size:280K  st
ste53na50.pdfpdf_icon

STE53NC50

STE53NA50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTE53NA50 500 V

Другие MOSFET... STD9NM50N , STD9NM60N , STE140NF20D , STE250NS10 , STE30NK90Z , STE40NC60 , STE40NK90ZD , STE48NM50 , IRF640N , STE70NM50 , STE70NM60 , STF10N62K3 , STF10N65K3 , STF10NK50Z , STF10NM50N , STF10NM60N , STF10NM60ND .

History: HGN093N12S | FQPF5N50CYDTU | IRFS9N60APBF

 

 
Back to Top

 


 
.