APT10M25BVR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: APT10M25BVR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 75 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 155 nC
Время нарастания (tr): 22 ns
Выходная емкость (Cd): 1600 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.025 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для APT10M25BVR
APT10M25BVR Datasheet (PDF)
1.1. apt10m25bvr.pdf 
Size:65K _apt
APT10M25BVR 100V 75A 0.025Ω POWER MOS V® Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. D • Faster Switching • 100% Avalanche Tested • Lower
1.2. apt10m25bvfr.pdf Size:69K _apt
APT10M25BVFR 100V 75A 0.025Ω POWER MOS V® FREDFET Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. • Fast Recovery Body Diode • 100% Avalanche Tes
2.1. apt10m25.pdf Size:69K _apt
APT10M25BVFR 100V 75A 0.025Ω POWER MOS V® FREDFET Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. • Fast Recovery Body Diode • 100% Avalanche Tes
2.2. apt10m25svr.pdf Size:68K _apt
APT10M25SVR 100V 75A 0.025Ω POWER MOS V® D3PAK Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. D • Faster Switching • 100% Avalanche Tested • Lower
Другие MOSFET... APT10M07JVR , APT10M11B2VR , APT10M11JVR , APT10M11LVR , APT10M19BVFR , APT10M19BVR , APT10M19SVR , APT10M25BVFR , TPC8107 , APT10M25SVR , APT1201R5BVR , APT1201R6BVR , APT12040JVR , APT12080JVR , APT12080LVR , APT20M11JVFR , APT20M11JVR .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BUK637-400B | BUK437-500A | CMI80N06 | CMB80N06 | CMP80N06 | MTY30N50E | 2SK3262-01MR | VN88AF | TK290P60Y | SW069R10VS | SUP70040E | SUD25N15-52-E3 | STP30NF10FP | SKS10N20 | SiHA11N80E |