Справочник MOSFET. STF8N65M5

 

STF8N65M5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STF8N65M5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO220FP
 

 Аналог (замена) для STF8N65M5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STF8N65M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1239K  st
stb8n65m5 std8n65m5 stf8n65m5 sti8n65m5 stp8n65m5 stu8n65m5.pdfpdf_icon

STF8N65M5

STB8N65M5, STD8N65M5, STF8N65M5STI8N65M5, STP8N65M5, STU8N65M5N-channel 650 V, 0.56 , 7 A MDmesh V Power MOSFETin DPAK, IPAK, TO-220, TO-220FP, DPAK and IPAKFeaturesType VDSS @ TJmax RDS(on) max. ID3STB8N65M5133STD8N65M522DPAK1 1STF8N65M5TO-220710 V

 ..2. Size:1298K  st
stb8n65m5 std8n65m5 stf8n65m5 stu8n65m5 stp8n65m5 sti8n65m5.pdfpdf_icon

STF8N65M5

STB8N65M5, STD8N65M5, STF8N65M5STI8N65M5, STP8N65M5, STU8N65M5N-channel 650 V, 0.56 , 7 A MDmesh V Power MOSFETin DPAK, IPAK, TO-220, TO-220FP, DPAK and IPAKFeaturesType VDSS @ TJmax RDS(on) max. ID3STB8N65M5133STD8N65M522DPAK1 1STF8N65M5TO-220710 V

 ..3. Size:201K  inchange semiconductor
stf8n65m5.pdfpdf_icon

STF8N65M5

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STF8N65M5FEATURESExcellent switching performanceEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 650 VDSSV Gate-

 8.1. Size:710K  st
stf8n60dm2.pdfpdf_icon

STF8N65M5

STF8N60DM2 N-channel 600 V, 550 m typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTF8N60DM2 600 V 600 m 8 A 25 W Fast-recovery body diode Extremely low gate charge and input capacitance Low on-resistance 100% avalanche tested Extremely high dv/dt ruggedness

Другие MOSFET... STF6N65K3 , STF6N95K5 , STF6NK70Z , STF7N52DK3 , STF7N52K3 , STF7N95K3 , STF7NM60N , STF7NM80 , IRF740 , STF8NK100Z , STF8NM50N , STF8NM60ND , STF9NK60ZD , STF9NK90Z , STF9NM60N , STFI10NK60Z , STFI13NK60Z .

History: STF8NK100Z | FM400HB1D5C | IRLR7821 | PV6A6BA | SM1A24NSU | SMK0765FJ | RYU002N05T306

 

 
Back to Top

 


 
.