STF8N65M5 - описание и поиск аналогов

 

STF8N65M5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STF8N65M5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO220FP

Аналог (замена) для STF8N65M5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STF8N65M5 даташит

 ..3. Size:201K  inchange semiconductor
stf8n65m5.pdfpdf_icon

STF8N65M5

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor STF8N65M5 FEATURES Excellent switching performance Easy to drive 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 650 V DSS V Gate-

 8.1. Size:710K  st
stf8n60dm2.pdfpdf_icon

STF8N65M5

STF8N60DM2 N-channel 600 V, 550 m typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STF8N60DM2 600 V 600 m 8 A 25 W Fast-recovery body diode Extremely low gate charge and input capacitance Low on-resistance 100% avalanche tested Extremely high dv/dt ruggedness

Другие MOSFET... STF6N65K3 , STF6N95K5 , STF6NK70Z , STF7N52DK3 , STF7N52K3 , STF7N95K3 , STF7NM60N , STF7NM80 , IRF740 , STF8NK100Z , STF8NM50N , STF8NM60ND , STF9NK60ZD , STF9NK90Z , STF9NM60N , STFI10NK60Z , STFI13NK60Z .

History: US6M11 | STF8NK100Z

 

 

 

 

↑ Back to Top
.