Справочник MOSFET. APT1201R6BVR

 

APT1201R6BVR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: APT1201R6BVR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 155 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 255 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для APT1201R6BVR

 

 

APT1201R6BVR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  apt
 apt1201r6bvr.pdf

APT1201R6BVR APT1201R6BVR

APT1201R6BVR1200V 8A 1.600POWER MOS VPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Faster Switching 100% Avalanche Tested D Lower

 3.1. Size:113K  apt
 apt1201r6bvfr.pdf

APT1201R6BVR APT1201R6BVR

APT1201R6BVFRAPT1201R6SVFR1200V 8A 1.600BVFR POWER MOS V FREDFETTO-247D3PAKPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout.

 3.2. Size:114K  apt
 apt1201r6bvfrg apt1201r6svfrg.pdf

APT1201R6BVR APT1201R6BVR

APT1201R6BVFRAPT1201R6SVFR1200V 8A 1.600BVFR POWER MOS V FREDFETTO-247D3PAKPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout.

 5.1. Size:62K  apt
 apt1201r6.pdf

APT1201R6BVR APT1201R6BVR

APT1201R6BVR1200V 8A 1.600POWER MOS VPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Faster Switching 100% Avalanche Tested D Lower

Другие MOSFET... APT10M11LVR , APT10M19BVFR , APT10M19BVR , APT10M19SVR , APT10M25BVFR , APT10M25BVR , APT10M25SVR , APT1201R5BVR , AON6380 , APT12040JVR , APT12080JVR , APT12080LVR , APT20M11JVFR , APT20M11JVR , APT20M13PVR , APT20M19JVR , APT20M22B2VFR .

 

 
Back to Top