STH210N75F6-2 - описание и поиск аналогов

 

STH210N75F6-2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STH210N75F6-2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1060 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm

Тип корпуса: H2PAK2

Аналог (замена) для STH210N75F6-2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STH210N75F6-2 даташит

 ..1. Size:899K  st
 sth210n75f6-2.pdf pdf_icon

STH210N75F6-2

STH210N75F6-2 N-channel 75 V, 2.7 m typ., 180 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in H PAK-2 package Datasheet production data Features Order code VDSS RDS(on) max ID TAB STH210N75F6-2 75 V

Другие MOSFET... STFI13NM60N , STFI20NK50Z , STFW12N120K5 , STFW3N150 , STFW4N150 , STFW60N65M5 , STFW6N120K3 , STH180N10F3-2 , 10N60 , STH250N55F3-6 , STH260N6F6-2 , STH270N4F3-6 , STH300NH02L-6 , STH85N15F4-2 , STH90N15F4-2 , STI10N62K3 , STI12N65M5 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.