Справочник MOSFET. STH210N75F6-2

 

STH210N75F6-2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STH210N75F6-2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1060 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm
   Тип корпуса: H2PAK2
 

 Аналог (замена) для STH210N75F6-2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STH210N75F6-2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:899K  st
 sth210n75f6-2.pdf pdf_icon

STH210N75F6-2

STH210N75F6-2N-channel 75 V, 2.7 m typ., 180 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in HPAK-2 packageDatasheet production dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max IDTABSTH210N75F6-2 75 V

Другие MOSFET... STFI13NM60N , STFI20NK50Z , STFW12N120K5 , STFW3N150 , STFW4N150 , STFW60N65M5 , STFW6N120K3 , STH180N10F3-2 , IRFB4227 , STH250N55F3-6 , STH260N6F6-2 , STH270N4F3-6 , STH300NH02L-6 , STH85N15F4-2 , STH90N15F4-2 , STI10N62K3 , STI12N65M5 .

History: SI7392ADP

 

 
Back to Top

 


 
.