STH260N6F6-2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STH260N6F6-2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 180 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Время нарастания (tr): 165 ns
Выходная емкость (Cd): 1235 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0024 Ohm
Тип корпуса: H2PAK2
Аналог (замена) для STH260N6F6-2
STH260N6F6-2 Datasheet (PDF)
sth260n6f6-2.pdf
STH260N6F6-2N-channel 60 V, 1.7 m typ., 180 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in HPAK-2 packageDatasheet production dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max IDTABSTH260N6F6-2 60 V
sth260n6f6-6.pdf
STH260N6F6-6N-channel 60 V, 1.7 m typ., 180 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in HPAK-6 packageDatasheet - preliminary dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDSTH260N6F6-6 60 V 2.4 m 180 ATAB Low gate charge Very low on-resistance7 High avalanche ruggedness11ApplicationsH2PAK-6 Switching applicationsDescriptionFigure 1. Internal sch
sth265n6f6-2ag sth265n6f6-6ag.pdf
STH265N6F6-2AG, STH265N6F6-6AG Automotive N-channel 60 V, 1.6 m typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in HPAK-2 and HPAK-6 packages Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) DTABTABSTH265N6F6-2AG 60 V 2.1 m 180 A STH265N6F6-6AG 60 V 2.1 m 180 A 7231 Designed for automotive applications 1 Very low on-resistance
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: TSM2N70CP
