STI270N4F3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STI270N4F3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 330 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 180 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1800 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm
Тип корпуса: I2PAK
Аналог (замена) для STI270N4F3
STI270N4F3 Datasheet (PDF)
stb270n4f3 sti270n4f3.pdf
STB270N4F3STI270N4F3N-channel 40 V, 1.6 m, 160 A, D2PAK, I2PAKSTripFET III Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PTOTmaxSTB270N4F3 40 V
Другие MOSFET... STI18NM60N , STI200N6F3 , STI21N65M5 , STI22NM60N , STI23NM60ND , STI24NM60N , STI24NM65N , STI26NM60N , IRFP260 , STI300N4F6 , STI30N65M5 , STI32N65M5 , STI35N65M5 , STI42N65M5 , STI4N62K3 , STI55NF03L , STI6N62K3 .
History: SIS413DN | MDD5N50RH | MDD4N20YRH
History: SIS413DN | MDD5N50RH | MDD4N20YRH
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f | 2n3053 equivalent


