Справочник MOSFET. STI35N65M5

 

STI35N65M5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STI35N65M5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 84 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.098 Ohm
   Тип корпуса: I2PAK
 

 Аналог (замена) для STI35N65M5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STI35N65M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1202K  st
 stb35n65m5 stf35n65m5 sti35n65m5 stp35n65m5 stw35n65m5.pdf pdf_icon

STI35N65M5

STB35N65M5, STF35N65M5, STI35N65M5STP35N65M5, STW35N65M5N-channel 650 V, 0.085 , 27 A, MDmesh V Power MOSFETin D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesVDSS @ Type RDS(on) max IDTJMAX 33123 12STB35N65M5 710 V

Другие MOSFET... STI23NM60ND , STI24NM60N , STI24NM65N , STI26NM60N , STI270N4F3 , STI300N4F6 , STI30N65M5 , STI32N65M5 , IRFB3607 , STI42N65M5 , STI4N62K3 , STI55NF03L , STI6N62K3 , STI70N10F4 , STI8N65M5 , STL100N1VH5 , STL100N6LF6 .

History: DE275-101N30A | PJP5NA80

 

 
Back to Top

 


 
.