STI35N65M5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STI35N65M5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 84 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.098 Ohm

Тип корпуса: I2PAK

Аналог (замена) для STI35N65M5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STI35N65M5 даташит

 ..1. Size:1202K  st
 stb35n65m5 stf35n65m5 sti35n65m5 stp35n65m5 stw35n65m5.pdf pdf_icon

STI35N65M5

STB35N65M5, STF35N65M5, STI35N65M5 STP35N65M5, STW35N65M5 N-channel 650 V, 0.085 , 27 A, MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 Features VDSS @ Type RDS(on) max ID TJMAX 3 3 1 2 3 1 2 STB35N65M5 710 V

Другие IGBT... STI23NM60ND, STI24NM60N, STI24NM65N, STI26NM60N, STI270N4F3, STI300N4F6, STI30N65M5, STI32N65M5, K4145, STI42N65M5, STI4N62K3, STI55NF03L, STI6N62K3, STI70N10F4, STI8N65M5, STL100N1VH5, STL100N6LF6