STI42N65M5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STI42N65M5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.079 Ohm

Тип корпуса: I2PAK

Аналог (замена) для STI42N65M5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STI42N65M5 даташит

 ..1. Size:1097K  st
 stb42n65m5 stf42n65m5 sti42n65m5 stp42n65m5 stw42n65m5.pdf pdf_icon

STI42N65M5

STx42N65M5 N-channel 650 V, 0.070 , 33 A MDmesh V Power MOSFET in I2PAK, TO-220, TO-220FP, D2PAK and TO-247 Features VDSS @ RDS(on) Type ID TJmax max 3 3 3 2 1 STB42N65M5 710 V

Другие IGBT... STI24NM60N, STI24NM65N, STI26NM60N, STI270N4F3, STI300N4F6, STI30N65M5, STI32N65M5, STI35N65M5, 13N50, STI4N62K3, STI55NF03L, STI6N62K3, STI70N10F4, STI8N65M5, STL100N1VH5, STL100N6LF6, STL10N3LLH5