STI70N10F4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STI70N10F4
Маркировка: 70N10F4
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 65 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 65 nC
Время нарастания (tr): 27 ns
Выходная емкость (Cd): 305 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0165 Ohm
Тип корпуса: I2PAK
Аналог (замена) для STI70N10F4
STI70N10F4 Datasheet (PDF)
..1. Size:718K st
sti70n10f4.pdf
sti70n10f4.pdf
STI70N10F4N-channel 100 V, 0.015 , 60 A, STripFET DeepGATEPower MOSFET in I2PAKFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTI70N10F4 100 V
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
