STI70N10F4 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STI70N10F4
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 305 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0165 Ohm
Тип корпуса: I2PAK
Аналог (замена) для STI70N10F4
STI70N10F4 Datasheet (PDF)
..1. Size:718K st
sti70n10f4.pdf
sti70n10f4.pdf
STI70N10F4N-channel 100 V, 0.015 , 60 A, STripFET DeepGATEPower MOSFET in I2PAKFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTI70N10F4 100 V
Другие MOSFET... STI300N4F6 , STI30N65M5 , STI32N65M5 , STI35N65M5 , STI42N65M5 , STI4N62K3 , STI55NF03L , STI6N62K3 , TK10A60D , STI8N65M5 , STL100N1VH5 , STL100N6LF6 , STL10N3LLH5 , STL11N3LLH6 , STL12N65M5 , STL13NM60N , STL140N4LLF5 .
History: 2SK3418 | HPD180PNE1DTA | CPC3701
History: 2SK3418 | HPD180PNE1DTA | CPC3701
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sd667 | 2sc1111 | bc239 transistor equivalent | 3sk41 | 2sc2240 transistor | c3198 | 2sc793 | 2sd313 replacement