STI70N10F4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STI70N10F4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 305 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0165 Ohm

Тип корпуса: I2PAK

Аналог (замена) для STI70N10F4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STI70N10F4 даташит

 ..1. Size:718K  st
 sti70n10f4.pdf pdf_icon

STI70N10F4

STI70N10F4 N-channel 100 V, 0.015 , 60 A, STripFET DeepGATE Power MOSFET in I2PAK Features Type VDSS RDS(on) max ID STI70N10F4 100 V

Другие IGBT... STI300N4F6, STI30N65M5, STI32N65M5, STI35N65M5, STI42N65M5, STI4N62K3, STI55NF03L, STI6N62K3, IRF1010E, STI8N65M5, STL100N1VH5, STL100N6LF6, STL10N3LLH5, STL11N3LLH6, STL12N65M5, STL13NM60N, STL140N4LLF5