Справочник MOSFET. STL10N3LLH5

 

STL10N3LLH5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STL10N3LLH5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 22 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: POWERFLAT3.3X3.3
 

 Аналог (замена) для STL10N3LLH5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL10N3LLH5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:700K  st
stl10n3llh5.pdfpdf_icon

STL10N3LLH5

STL10N3LLH5N-channel 30 V, 0.015 , 9 A, PowerFLAT 3.3x3.3STripFET V Power MOSFETFeaturesRDS(on) Order code VDSS IDmaxSTL10N3LLH5 30 V

 8.1. Size:1020K  st
stl10n60m2.pdfpdf_icon

STL10N3LLH5

STL10N60M2N-channel 600 V, 0.580 typ., 5.5 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV packageDatasheet - production dataFeaturesVDS @ Order codeTJmax RDS(on) max IDSTL10N60M2 650 V 0.660 5.5 A Extremely low gate charge123 Lower RDS(on) x area vs previous generation4 Low gate input resistancePowerFLAT 5x6 HV 100% aval

 8.2. Size:771K  st
stl10n65m2.pdfpdf_icon

STL10N3LLH5

STL10N65M2DatasheetN-channel 650 V, 0.85 typ., 4.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV packageFeaturesVDS RDS(on ) max. IDOrder codeSTL10N65M2 650 V 1.00 4.5 A12 Extremely low gate charge34 Excellent output capacitance (COSS) profilePowerFLAT 5x6 HV 100% avalanche tested Zener-protectedD(5, 6, 7, 8)8 7 6 5Applications Switch

 9.1. Size:1131K  st
stl105ns3llh7.pdfpdf_icon

STL10N3LLH5

STL105NS3LLH7N-channel 30 V, 0.0033 typ., 27 A STripFET H7 Power MOSFET plus monolithic Schottky in a PowerFLAT 5x6Datasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDSTL105NS3LLH7 30 V 0.0039 27 A Very low on-resistance12 Very low Qg34 Avalanche high ruggednessPowerFLAT5x6 Embedded Schottky diodeApplications Switching

Другие MOSFET... STI42N65M5 , STI4N62K3 , STI55NF03L , STI6N62K3 , STI70N10F4 , STI8N65M5 , STL100N1VH5 , STL100N6LF6 , IRLB4132 , STL11N3LLH6 , STL12N65M5 , STL13NM60N , STL140N4LLF5 , STL150N3LLH5 , STL150N3LLH6 , STL15DN4F5 , STL15N3LLH5 .

History: BRCS4435SC | SML5030HN | NCEP60T12A | R6006JNJ | WML07N105C2 | CI60N120SM | GSM4440

 

 
Back to Top

 


 
.