Справочник MOSFET. STL17N3LLH6

 

STL17N3LLH6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STL17N3LLH6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: POWERFLAT3.3X3.3
 

 Аналог (замена) для STL17N3LLH6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL17N3LLH6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:922K  st
 stl17n3llh6.pdf pdf_icon

STL17N3LLH6

STL17N3LLH6N-channel 30 V, 0.0038 , 17 A PowerFLAT(3.3x3.3)STripFET VI DeepGATE Power MOSFETFeaturesRDS(on) Order code VDSS IDmax.STL17N3LLH6 30 V 0.0045 17 A (1)1. The value is rated according Rthj-pcb RDS(on) * Qg industry benchmarkPowerFLAT (3.3 x 3.3) Extremely low on-resistance RDS(on) High avalanche ruggedness Low gate drive power los

 8.1. Size:1097K  st
 stl17n65m5.pdf pdf_icon

STL17N3LLH6

STL17N65M5N-channel 650 V, 0.338 typ., 10 A MDmesh V Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV packageDatasheet - preliminary dataFeaturesOrder code VDS @ TJmax RDS(on) max IDS(2) Bottom viewS(2)S(2)STL17N65M5 710 V 0.374 10 A(1)G(1)1. The value is rated according to Rthj-case and limited by D(3)package Worldwide best RDS(on) * area Higher VDSS rating an

Другие MOSFET... STL140N4LLF5 , STL150N3LLH5 , STL150N3LLH6 , STL15DN4F5 , STL15N3LLH5 , STL160N3LLH6 , STL16N1VH5 , STL16N65M5 , STP80NF70 , STL18N55M5 , STL18NM60N , STL21N65M5 , STL23N85K5 , STL23NM60ND , STL24NM60N , STL25N15F3 , STL25N15F4 .

History: SPB100N06S2L-05 | IRFS150 | ZXMP10A18G | FDD86369-F085 | OSG55R092FF | SMG2370N | SWI1N55D

 

 
Back to Top

 


 
.