Справочник MOSFET. STL17N3LLH6

 

STL17N3LLH6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STL17N3LLH6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: POWERFLAT3.3X3.3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STL17N3LLH6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:922K  st
 stl17n3llh6.pdf pdf_icon

STL17N3LLH6

STL17N3LLH6N-channel 30 V, 0.0038 , 17 A PowerFLAT(3.3x3.3)STripFET VI DeepGATE Power MOSFETFeaturesRDS(on) Order code VDSS IDmax.STL17N3LLH6 30 V 0.0045 17 A (1)1. The value is rated according Rthj-pcb RDS(on) * Qg industry benchmarkPowerFLAT (3.3 x 3.3) Extremely low on-resistance RDS(on) High avalanche ruggedness Low gate drive power los

 8.1. Size:1097K  st
 stl17n65m5.pdf pdf_icon

STL17N3LLH6

STL17N65M5N-channel 650 V, 0.338 typ., 10 A MDmesh V Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV packageDatasheet - preliminary dataFeaturesOrder code VDS @ TJmax RDS(on) max IDS(2) Bottom viewS(2)S(2)STL17N65M5 710 V 0.374 10 A(1)G(1)1. The value is rated according to Rthj-case and limited by D(3)package Worldwide best RDS(on) * area Higher VDSS rating an

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2SJ168 | TTP118N08A | TK3A60DA | AP4034GYT-HF | 4N65KL-T2Q-R | 2N4392CSM

 

 
Back to Top

 


 
.