STL60N32N3LL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STL60N32N3LL
Маркировка: 60N32N3LL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.12 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1(min) V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.6 nC
trⓘ - Время нарастания: 15.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 193 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0092 Ohm
Тип корпуса: POWERFLAT5X6ADI
Аналог (замена) для STL60N32N3LL
STL60N32N3LL Datasheet (PDF)
stl60n32n3ll.pdf
STL60N32N3LLDual N-channel 30 V, 0.005 , 15 A PowerFLAT 5x6asymmetrical double island, STripFET Power MOSFETFeaturesOrder code VDSS RDS(on) ID4Q1 30 V
stl60n3llh5.pdf
STL60N3LLH5N-channel 30 V, 0.0063 , 17 A PowerFLAT (5x6)STripFET V Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTL60N3LLH5 30 V
stl60nh3ll.pdf
STL60NH3LLN-channel 30 V - 0.0065 - 30 A - PowerFLAT (6x5)ultra low gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesRDS(on)Type VDSS ID(max)STL60NH3LL 30V
stl60n10f7.pdf
STL60N10F7N-channel 100 V, 0.0145 typ., 12 A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDS max ID PTOTSTL60N10F7 100 V 0.018 12 A 5 W1234 Ultra low on-resistance 100% avalanche testedPowerFLAT 5x6 Applications Switching applicationsDescriptionFigure 1. Intern
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
