STN4NF03L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STN4NF03L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для STN4NF03L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STN4NF03L даташит

 ..1. Size:235K  st
 stn4nf03l.pdf pdf_icon

STN4NF03L

STN4NF03L N-channel 30 V - 0.039 - 6.5 A - SOT-223 STripFET II Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID 2 STN4NF03L 30 V

 ..2. Size:810K  cn vbsemi
 stn4nf03l.pdf pdf_icon

STN4NF03L

STN4NF03L www.VBsemi.tw N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 30 AEC-Q101 Qualifiedc RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.019 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.021 ID (A) 7 Configuration Single D SOT-223 G D S D G S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) PAR

 7.1. Size:280K  st
 stn4nf06l.pdf pdf_icon

STN4NF03L

STN4NF06L N-channel 60 V - 0.07 - 4 A - SOT-223 STripFET II Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID STN4NF06L 60 V

 8.1. Size:605K  st
 stn4nf20l.pdf pdf_icon

STN4NF03L

STN4NF20L N-channel 200 V, 1.1 , 1 A SOT-223 low gate charge STripFET II Power MOSFET Features RDS(on) Order code VDSS ID max. 2 STN4NF20L 200 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STN1NK60Z, STN1NK80Z, STN2NF10, STN3N40K3, STN3N45K3, STN3NF06, STN3NF06L, STN3PF06, 50N06, STN4NF06L, STN4NF20L, STP100NF04, STP10N62K3, STP10NK60Z, STP10NK70Z, STP10NK70ZFP, STP10NK80Z