STN4NF06L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STN4NF06L
Маркировка: 4NF06L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7 nC
trⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 63 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: SOT223
STN4NF06L Datasheet (PDF)
stn4nf06l.pdf
STN4NF06LN-channel 60 V - 0.07 - 4 A - SOT-223STripFET II Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTN4NF06L 60 V
stn4nf03l.pdf
STN4NF03LN-channel 30 V - 0.039 - 6.5 A - SOT-223STripFET II Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID2STN4NF03L 30 V
stn4nf03l.pdf
STN4NF03Lwww.VBsemi.twN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 30 AEC-Q101 QualifiedcRDS(on) () at VGS = 10 V 0.019 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.021ID (A) 7Configuration SingleDSOT-223GDSDGSN-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)PAR
stn4nf20l.pdf
STN4NF20LN-channel 200 V, 1.1 , 1 A SOT-223low gate charge STripFET II Power MOSFETFeaturesRDS(on) Order code VDSS IDmax.2STN4NF20L 200 V
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918