STP13NM60N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STP13NM60N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для STP13NM60N
STP13NM60N Datasheet (PDF)
stb13nm60n std13nm60n stf13nm60n stp13nm60n stw13nm60n.pdf

STB13NM60N,STD13NM60N,STF13NM60NSTP13NM60N,STW13NM60NN-channel 600 V, 0.28 , 11 A MDmesh II Power MOSFETin D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max3322STB13NM60N 650 V
stf13nm60n sti13nm60n stp13nm60n stu13nm60n stw13nm60n.pdf

STF13NM60N, STI13NM60N, STP13NM60N,STU13NM60N, STW13NM60NN-channel 600 V, 0.28 typ., 11 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220FP, IPAK, TO-220, IPAK, TO-247 packagesDatasheet production dataFeaturesTABVDSS RDS(on) Order codes ID(@Tjmax) max3322 1STF13NM60N 1IPAKTO-220FPSTI13NM60NSTP13NM60N 650 V
stp13nm60n.pdf

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STP13NM60NFEATURESTypical R (on)=0.28DSLow gate input resistance100% avalanche testedLow input capacitance and gate chargeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE
std13nm60nd stf13nm60nd stp13nm60nd.pdf

STD13NM60ND, STF13NM60ND, STP13NM60NDN-channel 600 V, 0.32 typ., 11 A, FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in DPAK, TO-220FP and TO-220 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABOrder codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID313STD13NM60ND21DPAKSTF13NM60ND 650 V 0.38 11 ATO-220FPSTP13NM60NDTAB The worldwide best RDS(on)* area among fast recove
Другие MOSFET... STP12NK60Z , STP12NK80Z , STP12NM50 , STP12PF06 , STP130NH02L , STP13N95K3 , STP13NK60Z , STP13NK60ZFP , 4N60 , STP140NF55 , STP140NF75 , STP141NF55 , STP14NF10 , STP14NF12 , STP14NF12FP , STP14NK50Z , STP14NK60Z .
History: 2SJ606-ZJ | NTHD3101FT1G | STP200NF04 | ME2303 | APT10050B2VFRG | BRCS3400MC | SM1F08NSU
History: 2SJ606-ZJ | NTHD3101FT1G | STP200NF04 | ME2303 | APT10050B2VFRG | BRCS3400MC | SM1F08NSU



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2n3392 | 2n2369a | 2sc733 | a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852