STP22NM60N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STP22NM60N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 84 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm
Тип корпуса: TO220
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
STP22NM60N Datasheet (PDF)
stb22nm60n stf22nm60n sti22nm60n stp22nm60n stw22nm60n.pdf

STB22NM60N, STF22NM60N, STI22NM60NSTP22NM60N, STW22NM60NN-channel 600 V, 0.2 , 16 A MDmesh II Power MOSFETin D2PAK, TO-220FP, I2PAK, TO-220 and TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Order codes ID(@Tjmax) max.31332STB22NM60N 650 V
stb22nm60n stf22nm60n stp22nm60n.pdf

STB22NM60N, STF22NM60N, STP22NM60NDatasheetN-channel 600 V, 0.20 typ., 16 A MDmesh II Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP and TO-220 packagesFeaturesTABVDS @31 RDS(on)max. IDOrder code2D PAKTjmax.321TO-220FPTAB STB22NM60NSTF22NM60N 650 V 0.22 16 A32 STP22NM60N1TO-220 100% avalanche testedD(2, TAB) Low input capacitance and gate charg
stp22nm60n.pdf

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STP22NM60NFEATURESLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistances100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage
stp22nm60.pdf

STP22NM60 - STF22NM60STB22NM60 - STB22NM60-1 - STW22NM60N-CHANNEL 600V - 0.19 - 22A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247MDmeshPower MOSFETADVANCED DATATYPE VDSS RDS(on) Rds(on)*Qg IDSTP22NM60 600 V
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: RSR025N05FRA | OSG55R074HSZF | FDC654P | SPD04N60C3 | 2SK1501 | IPD024N06N | PNMET20V06E
History: RSR025N05FRA | OSG55R074HSZF | FDC654P | SPD04N60C3 | 2SK1501 | IPD024N06N | PNMET20V06E



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc897 | 2sa818 | 2sa763 | a933 | 2sa818 replacement | irfb3607 datasheet | 2n2907 equivalent | c2026