Справочник MOSFET. STP32N65M5

 

STP32N65M5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP32N65M5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.119 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для STP32N65M5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP32N65M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1086K  st
 stb32n65m5 stf32n65m5 sti32n65m5 stp32n65m5 stw32n65m5.pdf pdf_icon

STP32N65M5

STB32N65M5, STF32N65M5, STI32N65M5STP32N65M5, STW32N65M5N-channel 650 V, 0.095 , 24 A, MDmesh V Power MOSFETin D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesVDSS@ Type RDS(on) max IDTJmax 33123 12STB32N65M5 710 V

 8.1. Size:201K  st
 stp32n06.pdf pdf_icon

STP32N65M5

STP32N06LSTP32N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP32N06L 60 V

 8.2. Size:393K  st
 stp32n06l.pdf pdf_icon

STP32N65M5

STP32N06LSTP32N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP32N06L 60 V

 8.3. Size:393K  st
 stp32n05l.pdf pdf_icon

STP32N65M5

STP32N05LSTP32N05LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP32N05L 50 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP2NK90Z , STP30N65M5 , STP30NF10 , STP30NF20 , STP30NM30N , STP30NM50N , STP30NS15LFP , STP32N55M5 , STP75NF75 , STP34NM60N , STP34NM60ND , STP35N65M5 , STP35NF10 , STP36NF06 , STP36NF06L , STP3LN62K3 , STP3N150 .

History: MMBFJ111 | CMPDM7002AE | STP30NF20

 

 
Back to Top

 


 
.