STP8NM60ND - аналоги и даташиты транзистора

 

STP8NM60ND - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: STP8NM60ND
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для STP8NM60ND

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP8NM60ND Datasheet (PDF)

 ..1. Size:726K  st
 std8nm60nd stf8nm60nd stp8nm60nd stu8nm60nd.pdf pdf_icon

STP8NM60ND

STD8NM60ND, STF8NM60NDSTP8NM60ND, STU8NM60NDN-channel 600 V, 0.59 , 7 A, FDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, IPAK, DPAKFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max2132STD8NM60ND 650 V

 5.1. Size:698K  st
 stb8nm60n std8nm60n-1 stf8nm60n stp8nm60n.pdf pdf_icon

STP8NM60ND

STx8NM60NN-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAKFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max2132STB8NM60N 650 V

 5.2. Size:698K  st
 stf8nm60n std8nm60n stb8nm60n stp8nm60n.pdf pdf_icon

STP8NM60ND

STx8NM60NN-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAKFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max2132STB8NM60N 650 V

 5.3. Size:700K  st
 stp8nm60n stf8nm60n std8nm60n stb8nm60n.pdf pdf_icon

STP8NM60ND

STx8NM60NN-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAKFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max2132STB8NM60N 650 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP85NF55L , STP8N65M5 , STP8NK100Z , STP8NK80Z , STP8NK80ZFP , STP8NM50 , STP8NM50N , STP8NM60 , 2N7002 , STP8NS25 , STP90N15F4 , STP90N4F3 , STP90N55F4 , STP90NF03L , STP90NS04ZC , STP95N2LH5 , STP95N3LLH6 .

 

 
Back to Top

 


 
.