Справочник MOSFET. STP90N55F4

 

STP90N55F4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STP90N55F4
   Маркировка: 90N55F4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 90 nC
   trⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для STP90N55F4

 

 

STP90N55F4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:636K  st
 sth90n55f4-2 stp90n55f4.pdf

STP90N55F4 STP90N55F4

STH90N55F4-2STP90N55F4N-channel 55 V, 0.0064 , 90 A TO-220, H2PAKSTripFET DeepGATE Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTH90N55F4-2 55 V

 ..2. Size:758K  cn vbsemi
 stp90n55f4.pdf

STP90N55F4 STP90N55F4

STP90N55F4www.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.005 at VGS = 10 V 120 Material categorization:600.008 at VGS = 7.5 V100TO-220ABDGSN-Channel MOSFETG D SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit

 8.1. Size:466K  st
 sth90n15f4-2 stp90n15f4.pdf

STP90N55F4 STP90N55F4

STH90N15F4-2STP90N15F4N-channel 150 V, 12.5 m, 95 A TO-220, H2PAKSTripFET DeepGATE Power MOSFETPreliminary dataFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTH90N15F4-2 150 V

 8.2. Size:802K  st
 std90n4f3 sti90n4f3 stp90n4f3 stu90n4f3.pdf

STP90N55F4 STP90N55F4

STD90N4F3, STI90N4F3STP90N4F3, STU90N4F3N-channel 40 V, 5.0 m, 80 A, DPAK, TO-220, IPAK, I2PAKSTripFET III Power MOSFETFeaturesRDS(on) 3Type VDSS ID Pw3max 121STD90N4F3 40 V

 8.3. Size:325K  st
 stp90ns04zc.pdf

STP90N55F4 STP90N55F4

STP90NS04ZCN-channel clamped 5m - 80A TO-220Fully protected SAFeFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTP90NS04ZC Clamped

 8.4. Size:367K  st
 stp90n6f6.pdf

STP90N55F4 STP90N55F4

STP90N6F6 N-channel 60 V, 0.0057 typ., 90 A STripFET F6 Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - production data Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTP90N6F6 60 V 0.0063 90 A 136 W Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power loss Applications Switching applications Description Figure

 8.5. Size:274K  st
 stp90nf03l.pdf

STP90N55F4 STP90N55F4

STP90NF03LSTB90NF03L-1N-CHANNEL 30V - 0.0056 - 90A TO-220/I2PAKLOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP90NF03L 30 V

 8.6. Size:247K  st
 stp90nf03l stb90nf03l-1.pdf

STP90N55F4 STP90N55F4

STP90NF03LSTB90NF03L-1N-channel 30V - 0.0056 -90A TO-220/I2PAKLow gate charge STripFET Power MOSFETGeneral featuresVDSS Type RDS(on) ID(@Tjmax)STP90NF03L 30V

 8.7. Size:206K  inchange semiconductor
 stp90nf03l.pdf

STP90N55F4 STP90N55F4

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STP90NF03LFEATURESTypical R (on)=0.0056DSConduction losses reducedSwitching losses reduced100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drai

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: STP90NS04ZC

 

 
Back to Top