STP90N55F4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP90N55F4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP90N55F4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP90N55F4 даташит

 ..1. Size:636K  st
 sth90n55f4-2 stp90n55f4.pdf pdf_icon

STP90N55F4

STH90N55F4-2 STP90N55F4 N-channel 55 V, 0.0064 , 90 A TO-220, H2PAK STripFET DeepGATE Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID STH90N55F4-2 55 V

 ..2. Size:758K  cn vbsemi
 stp90n55f4.pdf pdf_icon

STP90N55F4

STP90N55F4 www.VBsemi.tw N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY 175 C Junction Temperature VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a TrenchFET Power MOSFET 0.005 at VGS = 10 V 120 Material categorization 60 0.008 at VGS = 7.5 V 100 TO-220AB D G S N-Channel MOSFET G D S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit

 8.1. Size:466K  st
 sth90n15f4-2 stp90n15f4.pdf pdf_icon

STP90N55F4

STH90N15F4-2 STP90N15F4 N-channel 150 V, 12.5 m , 95 A TO-220, H2PAK STripFET DeepGATE Power MOSFET Preliminary data Features Type VDSS RDS(on) max ID STH90N15F4-2 150 V

 8.2. Size:802K  st
 std90n4f3 sti90n4f3 stp90n4f3 stu90n4f3.pdf pdf_icon

STP90N55F4

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STP8NK80ZFP, STP8NM50, STP8NM50N, STP8NM60, STP8NM60ND, STP8NS25, STP90N15F4, STP90N4F3, AO3401, STP90NF03L, STP90NS04ZC, STP95N2LH5, STP95N3LLH6, STP95N4F3, STP9NK50Z, STP9NK60Z, STP9NK65Z