STP90NF03L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP90NF03L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 860 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP90NF03L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP90NF03L даташит

 ..1. Size:274K  st
 stp90nf03l.pdf pdf_icon

STP90NF03L

STP90NF03L STB90NF03L-1 N-CHANNEL 30V - 0.0056 - 90A TO-220/I2PAK LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP90NF03L 30 V

 ..2. Size:247K  st
 stp90nf03l stb90nf03l-1.pdf pdf_icon

STP90NF03L

STP90NF03L STB90NF03L-1 N-channel 30V - 0.0056 -90A TO-220/I2PAK Low gate charge STripFET Power MOSFET General features VDSS Type RDS(on) ID (@Tjmax) STP90NF03L 30V

 ..3. Size:206K  inchange semiconductor
 stp90nf03l.pdf pdf_icon

STP90NF03L

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor STP90NF03L FEATURES Typical R (on)=0.0056 DS Conduction losses reduced Switching losses reduced 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching application ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drai

 8.1. Size:466K  st
 sth90n15f4-2 stp90n15f4.pdf pdf_icon

STP90NF03L

STH90N15F4-2 STP90N15F4 N-channel 150 V, 12.5 m , 95 A TO-220, H2PAK STripFET DeepGATE Power MOSFET Preliminary data Features Type VDSS RDS(on) max ID STH90N15F4-2 150 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STP8NM50, STP8NM50N, STP8NM60, STP8NM60ND, STP8NS25, STP90N15F4, STP90N4F3, STP90N55F4, K3569, STP90NS04ZC, STP95N2LH5, STP95N3LLH6, STP95N4F3, STP9NK50Z, STP9NK60Z, STP9NK65Z, STP9NK65ZFP