STP90NF03L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STP90NF03L
Маркировка: P90NF03L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC
trⓘ - Время нарастания: 200 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 860 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для STP90NF03L
STP90NF03L Datasheet (PDF)
stp90nf03l.pdf
STP90NF03LSTB90NF03L-1N-CHANNEL 30V - 0.0056 - 90A TO-220/I2PAKLOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP90NF03L 30 V
stp90nf03l stb90nf03l-1.pdf
STP90NF03LSTB90NF03L-1N-channel 30V - 0.0056 -90A TO-220/I2PAKLow gate charge STripFET Power MOSFETGeneral featuresVDSS Type RDS(on) ID(@Tjmax)STP90NF03L 30V
stp90nf03l.pdf
INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STP90NF03LFEATURESTypical R (on)=0.0056DSConduction losses reducedSwitching losses reduced100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drai
sth90n15f4-2 stp90n15f4.pdf
STH90N15F4-2STP90N15F4N-channel 150 V, 12.5 m, 95 A TO-220, H2PAKSTripFET DeepGATE Power MOSFETPreliminary dataFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTH90N15F4-2 150 V
std90n4f3 sti90n4f3 stp90n4f3 stu90n4f3.pdf
STD90N4F3, STI90N4F3STP90N4F3, STU90N4F3N-channel 40 V, 5.0 m, 80 A, DPAK, TO-220, IPAK, I2PAKSTripFET III Power MOSFETFeaturesRDS(on) 3Type VDSS ID Pw3max 121STD90N4F3 40 V
stp90ns04zc.pdf
STP90NS04ZCN-channel clamped 5m - 80A TO-220Fully protected SAFeFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTP90NS04ZC Clamped
stp90n6f6.pdf
STP90N6F6 N-channel 60 V, 0.0057 typ., 90 A STripFET F6 Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - production data Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTP90N6F6 60 V 0.0063 90 A 136 W Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power loss Applications Switching applications Description Figure
sth90n55f4-2 stp90n55f4.pdf
STH90N55F4-2STP90N55F4N-channel 55 V, 0.0064 , 90 A TO-220, H2PAKSTripFET DeepGATE Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTH90N55F4-2 55 V
stp90n55f4.pdf
STP90N55F4www.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.005 at VGS = 10 V 120 Material categorization:600.008 at VGS = 7.5 V100TO-220ABDGSN-Channel MOSFETG D SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
