STQ1HNK60R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STQ1HNK60R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 23.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.5 Ohm

Тип корпуса: TO92

Аналог (замена) для STQ1HNK60R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STQ1HNK60R даташит

 ..1. Size:424K  st
 std1nk60 std1nk60-1 stq1hnk60r stn1hnk60.pdf pdf_icon

STQ1HNK60R

STD1NK60 - STD1NK60-1 STQ1HNK60R - STN1HNK60 N-CHANNEL 600V - 8 - 1A DPAK/TO-92/IPAK/SOT-223 SuperMESH MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STD1NK60 600 V

 ..2. Size:427K  st
 std1nk60-1 std1nk60t4 std1nk60 std1nk60-1 stq1hnk60r stn1hnk60.pdf pdf_icon

STQ1HNK60R

STD1NK60 - STD1NK60-1 STQ1HNK60R - STN1HNK60 N-CHANNEL 600V - 8 - 1A DPAK/TO-92/IPAK/SOT-223 SuperMESH MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STD1NK60 600 V

 0.1. Size:466K  st
 stn1hnk60 stq1hnk60r-ap.pdf pdf_icon

STQ1HNK60R

STN1HNK60, STQ1HNK60R-AP Datasheet N-channel 600 V, 7.3 typ., 0.4 A SuperMESH Power MOSFETs in a SOT-223 and TO-92 packages 4 Features 23 1 VDS RDS(on) max. ID Order code Package SOT-223 STN1HNK60 SOT-223 600 V 8.5 0.4 A STQ1HNK60R-AP TO-92 Extremely high dv/dt capability 100% avalanche tested 3 2 Gate charge minimized 1 TO-92 (Ammopack) D(2, 4) Appli

 8.1. Size:1181K  st
 stq1hn60k3-ap.pdf pdf_icon

STQ1HNK60R

STQ1HN60K3-AP N-channel 600 V, 6.7 typ., 0.4 A SuperMESH3 Power MOSFET in a TO-92 package Datasheet - production data Features RDS(on) Order code VDS max ID PTOT STQ1HN60K3-AP 600 V 8 0.4 A 3 W 100% avalanche tested 3 2 Extremely high dv/dt capability 1 Gate charge minimized TO-92 Very low intrinsic capacitance Improved diode reverse recovery cha

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STP9NK50Z, STP9NK60Z, STP9NK65Z, STP9NK65ZFP, STP9NK70Z, STP9NK70ZFP, STP9NK90Z, STP9NM60N, IRF530, STQ1NK60ZR, STQ2HNK60ZR-AP, STQ2NK60ZR-AP, STQ3N45K3-AP, STS10DN3LH5, STS10N3LH5, STS11N3LLH5, STS11NF30L