Справочник MOSFET. STQ1HNK60R

 

STQ1HNK60R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STQ1HNK60R
   Маркировка: 1HNK60R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.7 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 7 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23.5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.5 Ohm
   Тип корпуса: TO92
 

 Аналог (замена) для STQ1HNK60R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STQ1HNK60R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:424K  st
 std1nk60 std1nk60-1 stq1hnk60r stn1hnk60.pdf pdf_icon

STQ1HNK60R

STD1NK60 - STD1NK60-1STQ1HNK60R - STN1HNK60N-CHANNEL 600V - 8 - 1A DPAK/TO-92/IPAK/SOT-223SuperMESH MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTD1NK60 600 V

 ..2. Size:427K  st
 std1nk60-1 std1nk60t4 std1nk60 std1nk60-1 stq1hnk60r stn1hnk60.pdf pdf_icon

STQ1HNK60R

STD1NK60 - STD1NK60-1STQ1HNK60R - STN1HNK60N-CHANNEL 600V - 8 - 1A DPAK/TO-92/IPAK/SOT-223SuperMESH MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTD1NK60 600 V

 0.1. Size:466K  st
 stn1hnk60 stq1hnk60r-ap.pdf pdf_icon

STQ1HNK60R

STN1HNK60, STQ1HNK60R-APDatasheetN-channel 600 V, 7.3 typ., 0.4 A SuperMESH Power MOSFETs in a SOT-223 and TO-92 packages4 Features231VDS RDS(on) max. IDOrder code PackageSOT-223STN1HNK60 SOT-223600 V 8.5 0.4 ASTQ1HNK60R-AP TO-92 Extremely high dv/dt capability 100% avalanche tested32 Gate charge minimized1TO-92 (Ammopack)D(2, 4)Appli

 8.1. Size:1181K  st
 stq1hn60k3-ap.pdf pdf_icon

STQ1HNK60R

STQ1HN60K3-APN-channel 600 V, 6.7 typ., 0.4 A SuperMESH3 Power MOSFET in a TO-92 packageDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDS max ID PTOTSTQ1HN60K3-AP 600 V 8 0.4 A 3 W 100% avalanche tested32 Extremely high dv/dt capability1 Gate charge minimizedTO-92 Very low intrinsic capacitance Improved diode reverse recovery cha

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP9NK50Z , STP9NK60Z , STP9NK65Z , STP9NK65ZFP , STP9NK70Z , STP9NK70ZFP , STP9NK90Z , STP9NM60N , AO4407 , STQ1NK60ZR , STQ2HNK60ZR-AP , STQ2NK60ZR-AP , STQ3N45K3-AP , STS10DN3LH5 , STS10N3LH5 , STS11N3LLH5 , STS11NF30L .

History: STFI34N65M5 | IRF9132

 

 
Back to Top

 


 
.