Справочник MOSFET. STQ1HNK60R

 

STQ1HNK60R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STQ1HNK60R
   Маркировка: 1HNK60R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.7 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23.5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.5 Ohm
   Тип корпуса: TO92
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STQ1HNK60R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:424K  st
 std1nk60 std1nk60-1 stq1hnk60r stn1hnk60.pdf pdf_icon

STQ1HNK60R

STD1NK60 - STD1NK60-1STQ1HNK60R - STN1HNK60N-CHANNEL 600V - 8 - 1A DPAK/TO-92/IPAK/SOT-223SuperMESH MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTD1NK60 600 V

 ..2. Size:427K  st
 std1nk60-1 std1nk60t4 std1nk60 std1nk60-1 stq1hnk60r stn1hnk60.pdf pdf_icon

STQ1HNK60R

STD1NK60 - STD1NK60-1STQ1HNK60R - STN1HNK60N-CHANNEL 600V - 8 - 1A DPAK/TO-92/IPAK/SOT-223SuperMESH MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTD1NK60 600 V

 0.1. Size:466K  st
 stn1hnk60 stq1hnk60r-ap.pdf pdf_icon

STQ1HNK60R

STN1HNK60, STQ1HNK60R-APDatasheetN-channel 600 V, 7.3 typ., 0.4 A SuperMESH Power MOSFETs in a SOT-223 and TO-92 packages4 Features231VDS RDS(on) max. IDOrder code PackageSOT-223STN1HNK60 SOT-223600 V 8.5 0.4 ASTQ1HNK60R-AP TO-92 Extremely high dv/dt capability 100% avalanche tested32 Gate charge minimized1TO-92 (Ammopack)D(2, 4)Appli

 8.1. Size:1181K  st
 stq1hn60k3-ap.pdf pdf_icon

STQ1HNK60R

STQ1HN60K3-APN-channel 600 V, 6.7 typ., 0.4 A SuperMESH3 Power MOSFET in a TO-92 packageDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDS max ID PTOTSTQ1HN60K3-AP 600 V 8 0.4 A 3 W 100% avalanche tested32 Extremely high dv/dt capability1 Gate charge minimizedTO-92 Very low intrinsic capacitance Improved diode reverse recovery cha

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: HY3408APS | FQAF6N80 | HY3215B | HY3408AM | HY3312PM | HY1904U | FQAF28N15

 

 
Back to Top

 


 
.