STS12NF30L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STS12NF30L
Маркировка: S12NF30L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC
trⓘ - Время нарастания: 90 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 590 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для STS12NF30L
STS12NF30L Datasheet (PDF)
sts12nf30l.pdf
STS12NF30LN-channel 30V - 0.008 - 12A SO-8STripFET II Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTS12NF30L 30V
sts12nh3ll.pdf
STS12NH3LLN-channel 30 V - 0.008 - 12 A - SO-8ultra low gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTS12NH3LL 30 V
sts12n3llh5.pdf
STS12N3LLH5N-channel 30 V, 0.0068 , 12 A, SO-8 STripFET V Power MOSFETDatasheet production dataFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmax5STS12N3LLH5 30 V
sts126.pdf
GrerrPPrPrProSTS126aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.Surface Mount Package.100V 1.4A 312 @ VGS=10VDSOT-23GS(TA=25C unless otherwise noted)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSym
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918