STS20N3LLH6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STS20N3LLH6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для STS20N3LLH6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS20N3LLH6 даташит

 ..1. Size:538K  st
 sts20n3llh6.pdf pdf_icon

STS20N3LLH6

STS20N3LLH6 N-channel 30 V, 0.004 , 20 A, SO-8 STripFET VI DeepGATE Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STS20N3LLH6 30 V 0.0047 20 A RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on) High avalanche ruggedness SO-8 Low gate drive power losses Very low switching gate charge Application Switching applications Figur

Другие IGBT... STS12N3LLH5, STS12NF30L, STS13N3LLH5, STS14N3LLH5, STS19N3LLH6, STS1DN45K3, STS1DNC45, STS1NK60Z, AO3407, STS26N3LLH6, STS2DNF30L, STS3N95K3, STS4DNF30L, STS4DNF60L, STS4DNFS30L, STS4DPF20L, STS4DPF30L