Справочник MOSFET. STS20N3LLH6

 

STS20N3LLH6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STS20N3LLH6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STS20N3LLH6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:538K  st
 sts20n3llh6.pdf pdf_icon

STS20N3LLH6

STS20N3LLH6N-channel 30 V, 0.004 , 20 A, SO-8STripFET VI DeepGATE Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTS20N3LLH6 30 V 0.0047 20 A RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on) High avalanche ruggednessSO-8 Low gate drive power losses Very low switching gate chargeApplication Switching applicationsFigur

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.