Справочник MOSFET. STS20N3LLH6

 

STS20N3LLH6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STS20N3LLH6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для STS20N3LLH6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS20N3LLH6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:538K  st
 sts20n3llh6.pdf pdf_icon

STS20N3LLH6

STS20N3LLH6N-channel 30 V, 0.004 , 20 A, SO-8STripFET VI DeepGATE Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTS20N3LLH6 30 V 0.0047 20 A RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on) High avalanche ruggednessSO-8 Low gate drive power losses Very low switching gate chargeApplication Switching applicationsFigur

Другие MOSFET... STS12N3LLH5 , STS12NF30L , STS13N3LLH5 , STS14N3LLH5 , STS19N3LLH6 , STS1DN45K3 , STS1DNC45 , STS1NK60Z , 7N60 , STS26N3LLH6 , STS2DNF30L , STS3N95K3 , STS4DNF30L , STS4DNF60L , STS4DNFS30L , STS4DPF20L , STS4DPF30L .

History: FDD6692

 

 
Back to Top

 


 
.