Справочник MOSFET. STS20N3LLH6

 

STS20N3LLH6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STS20N3LLH6
   Маркировка: 20G3L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 17 nC
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для STS20N3LLH6

 

 

STS20N3LLH6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:538K  st
 sts20n3llh6.pdf

STS20N3LLH6 STS20N3LLH6

STS20N3LLH6N-channel 30 V, 0.004 , 20 A, SO-8STripFET VI DeepGATE Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTS20N3LLH6 30 V 0.0047 20 A RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on) High avalanche ruggednessSO-8 Low gate drive power losses Very low switching gate chargeApplication Switching applicationsFigur

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top