APT4014BVR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APT4014BVR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 560 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для APT4014BVR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT4014BVR даташит

 ..1. Size:64K  apt
 apt4014bvr.pdf pdf_icon

APT4014BVR

APT4014BVR 400V 28A 0.140 POWER MOS V Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Faster Switching 100% Avalanche Tested D Lower L

 5.1. Size:72K  apt
 apt4014bvfrg apt4014svfrg.pdf pdf_icon

APT4014BVR

APT4014BVFR APT4014SVFR 400V 28A 0.140 BVFR FREDFET POWER MOS V D3PAK TO-247 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, SVFR increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.

 5.2. Size:375K  inchange semiconductor
 apt4014bvfr.pdf pdf_icon

APT4014BVR

isc N-Channel MOSFET Transistor APT4014BVFR FEATURES Drain Current I = 28A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =400V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =0.14 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general pur

 7.1. Size:64K  apt
 apt4014hvr.pdf pdf_icon

APT4014BVR

APT4014HVR 400V 28A 0.140 POWER MOS V TO-258 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Faster Switching 100% Avalanche Tested D Lower

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT30M40LVFR, APT30M40LVR, APT30M70BVFR, APT30M70BVR, APT30M85BVFR, APT30M85BVR, APT30M90AVR, APT4012BVR, IRFB4227, APT4014HVR, APT4015AVR, APT4016BN, APT4016BVR, APT4018HVR, APT4020BN, APT4020BVR, APT4030CNR