STS3N95K3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STS3N95K3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 950 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.3 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для STS3N95K3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS3N95K3 даташит

 ..1. Size:128K  st
 sts3n95k3.pdf pdf_icon

STS3N95K3

STS3N95K3 N-channel 950 V, 5 , 0.4 A SO-8 Zener-protected SuperMESH3 Power MOSFET Preliminary data Features RDS(on) Order code VDSS ID Pw max STS3N95K3 950 V

Другие IGBT... STS14N3LLH5, STS19N3LLH6, STS1DN45K3, STS1DNC45, STS1NK60Z, STS20N3LLH6, STS26N3LLH6, STS2DNF30L, IRF520, STS4DNF30L, STS4DNF60L, STS4DNFS30L, STS4DPF20L, STS4DPF30L, STS4NF100, STS5DNF20V, STS5DNF60L