Справочник MOSFET. STS3N95K3

 

STS3N95K3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STS3N95K3
   Маркировка: 3N95K3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 950 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.3 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STS3N95K3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:128K  st
 sts3n95k3.pdf pdf_icon

STS3N95K3

STS3N95K3N-channel 950 V, 5 , 0.4 A SO-8Zener-protected SuperMESH3 Power MOSFETPreliminary dataFeaturesRDS(on) Order code VDSS ID PwmaxSTS3N95K3 950 V

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: HY1908D

 

 
Back to Top

 


 
.