STU27N3LH5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STU27N3LH5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 22 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 97 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для STU27N3LH5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STU27N3LH5 даташит

 ..1. Size:928K  st
 std27n3lh5 stp27n3lh5 stu27n3lh5.pdf pdf_icon

STU27N3LH5

STD27N3LH5, STP27N3LH5 STU27N3LH5 N-channel 30 V, 0.014 , 27 A, DPAK, IPAK, TO-220 STripFET V Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID 3 3 STD27N3LH5 30 V 0.019 27 A 1 2 1 STP27N3LH5 30 V 0.020 27 A IPAK DPAK STU27N3LH5 30 V 0.020 27 A RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on) Very low switching gate charge 3

Другие IGBT... STS9NF30L, STS9NF3LL, STT3PF20V, STU10NM60N, STU11NM60ND, STU12N65M5, STU150N3LLH6, STU16N65M5, AO4468, STU2N62K3, STU2NK100Z, STU3LN62K3, STU3N45K3, STU3N62K3, STU4N52K3, STU4N62K3, STU5N52K3