STU70N2LH5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STU70N2LH5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 22 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0104 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для STU70N2LH5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STU70N2LH5 даташит

 ..1. Size:230K  st
 std70n2lh5 stu70n2lh5.pdf pdf_icon

STU70N2LH5

STD70N2LH5 STU70N2LH5 N-channel 25 V, 0.006 , 48 A - DPAK - IPAK STripFET V Power MOSFET Preliminary Data Features Type VDSS RDS(on) max ID STD70N2LH5 25 V 0.0071 48 A STU70N2LH5 25 V 0.0075 48 A 3 3 2 RDS(on) * Qg industry benchmark 1 1 Extremely low on-resistance RDS(on) DPAK IPAK Very low switching gate charge High avalanche ruggedness L

Другие IGBT... STU5N52K3, STU5N62K3, STU5N95K3, STU60N3LH5, STU60N55F3, STU65N3LLH5, STU6N62K3, STU6NF10, IRF640N, STU75N3LLH6, STU75N3LLH6-S, STU7NM60N, STU85N3LH5, STU8N65M5, STU8NM50N, STU8NM60ND, STU90N4F3